MOOC 石墨烯电子学（双语研讨）(东南大学)1450284518 最新慕课完整章节测试答案
第二讲 介绍第2章 外延，包括外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
文章目录
- 第二讲 介绍第2章 外延，包括外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
- 第三讲，介绍第3章 热氧化，包括SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
- 第四讲 介绍第4章 扩散，包括扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
- 第五讲 介绍第5章 离子注入，包括离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容
- 第六讲，介绍第六章 化学汽相淀积，包括CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。
- 第七讲 介绍第7章物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容
- 第八讲 介绍第8章 光刻工艺，包括光刻概述，光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。
- 第九讲 介绍第九章 刻蚀技术 包括刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。
- 第十讲 介绍典型工艺集成，包括金属化、隔离技术，以及CMOS电路、双极型电路工艺。
- 第1章 硅片的制备
第二讲 作业
1、单选题：
VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】
2、多选题：
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】
3、判断题：
如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题：
外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】
5、填空题：
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【 硅片表面】
第二讲
1、单选题：
VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】
2、多选题：
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】
3、判断题：
如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题：
外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长 薄膜。
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】
5、填空题：
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在 完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【 硅片表面】
第三讲，介绍第3章 热氧化，包括SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
第三讲 作业
1、单选题：
通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】
2、多选题：
关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】
3、判断题：
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题：
热氧化速率快慢排序： 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】
5、填空题：
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质 引起的。（两个字）
答案: 【 分凝】