MOOC 石墨烯电子学(双语研讨)(东南大学)1450284518 最新慕课完整章节测试答案
第二讲 介绍第2章 外延,包括外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
文章目录
- 第二讲 介绍第2章 外延,包括外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
- 第三讲,介绍第3章 热氧化,包括SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
- 第四讲 介绍第4章 扩散,包括扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
- 第五讲 介绍第5章 离子注入,包括离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等,共八节内容
- 第六讲,介绍第六章 化学汽相淀积,包括CVD概述,CVD工艺原理、方法,二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。
- 第七讲 介绍第7章物理汽相淀积,包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容
- 第八讲 介绍第8章 光刻工艺,包括光刻概述,光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。
- 第九讲 介绍第九章 刻蚀技术 包括刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。
- 第十讲 介绍典型工艺集成,包括金属化、隔离技术,以及CMOS电路、双极型电路工艺。
- 第1章 硅片的制备
第二讲 作业
1、单选题:
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
选项:
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】
2、多选题:
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
选项:
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】
3、判断题:
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题:
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】
5、填空题:
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【 硅片表面】
第二讲
1、单选题:
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
选项:
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】
2、多选题:
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
选项:
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】
3、判断题:
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题:
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】
5、填空题:
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【 硅片表面】
第三讲,介绍第3章 热氧化,包括SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
第三讲 作业
1、单选题:
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
选项:
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】
2、多选题:
关于氧化速率下面哪种描述是正确的:
选项:
A: 生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: (111)硅比(100)硅氧化得快
D: 有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
(111)硅比(100)硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律】
3、判断题:
制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题:
热氧化速率快慢排序: 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。(从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空,中间用“、”隔开)
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】
5、填空题:
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质 引起的。(两个字)
答案: 【 分凝】