MOOC 微电子制造工艺(北京信息职业技术学院)1449928163 最新慕课完整章节测试答案

第一章 测验

1、单选题：
​第一个锗晶体管是（）年发明​
选项：
A: 1946
B: 1947
C: 1957
D: 1958
答案: 【 1947】

2、单选题：
‌集成电路的英文简称为（ ）。‏‌‏
选项：
A: IC
B: MCU
C: LCC
D: MIC
答案: 【 IC】

3、单选题：
8英寸硅片的直径大约（）mm。​
选项：
A: 150
B: 200
C: 300
D: 450
答案: 【 200】

4、判断题：
‌微电子学的核心是集成电路。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
‏集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
​纳米是长度的单位，1纳米为1微米的1000倍。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‍CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸，是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‌集成电路是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管等元器件按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‏集成电路按器件结构分主要可分为：双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、填空题：
‌摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_____个月翻一番。‌
答案: 【 18##%_YZPRLFH_%##十八】

第二章 测验

1、单选题：
​1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于（ ）个。‎
选项：
A: 10
B: 100
C: 1000
D: 10000
答案: 【 1000】

2、单选题：
‎高效过滤器的英文简称是（ ）。‌
选项：
A: LEPA
B: HEPA
C: MIC
D: DHF
答案: 【 HEPA】

3、单选题：
‌过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是（ ）。‍
选项：
A: DHF
B: SPM-1
C: SC-1
D: HPM
答案: 【 SC-1】

4、单选题：
‍中效过滤器主要滤除大于（ ）um的尘粒。‍
选项：
A: 10
B: 5
C: 1
D: 0.3
答案: 【 1】

5、多选题：
‌尘埃的测量方法有（）、（）、（）。‏
选项：
A: 重量法
B: 四探针法
C: 过滤法
D: 计数法
答案: 【 重量法;
过滤法;
计数法】

6、判断题：
‎吸烟不会产生尘埃。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‏风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‍乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
‏洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、填空题：
‏10000级是指每立方英尺空气中，0.5um大小尘埃的个数不超过10000颗≈______个/升。（四舍五入取整，1立方英尺=28.3168升）‎
答案: 【 353】

第三章 半导体材料1作业

1、单选题：
‏掺入B元素的半导体为（）型半导体‏
选项：
A: P
B: N
C: 本征半导体
D: 中性半导体
答案: 【 P】

2、单选题：
​下列半导体属于第三代半导体的是（）。‏
选项：
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 氮化镓
答案: 【 氮化镓】

3、单选题：
​半导体行业最常用的半导体材料是（）。​
选项：
A: 氮化镓
B: 石墨烯
C: 硅
D: 砷化镓
答案: 【 硅】

4、单选题：
​掺入P元素的半导体为（）型半导体。‏
选项：
A: P
B: N
C: 中性半导体
D: 本征半导体
答案: 【 N】

5、单选题：
​面心立方晶胞原子的个数是（）。​
选项：
A: 1
B: 2
C: 4
D: 8
答案: 【 4】

6、单选题：
‌硅的晶体结构是（）形状。‎
选项：
A: 四面体结构
B: 无定形结构
C: 六面体结构
D: 平面结构
答案: 【 四面体结构】

7、单选题：
‌硅晶体内部的空间利用率是（ ）。‏
选项：
A: 24%
B: 34%
C: 44%
D: 66%
答案: 【 34%】

8、多选题：
‌最常用的形成N型半导体的杂质有（）(  )和（）。‏
选项：
A: Sb
B: B
C: As
D: P
答案: 【 Sb;
As;
P】

9、多选题：
​从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体的晶向是（  ）。‍
选项：
A: 000
B: 100
C: 110
D: 111
答案: 【 100;
110;
111】

10、判断题：
‏价带中含有的电子数量决定材料的导电性。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

11、判断题：
‌由于电子的有效质量小于空穴的有效质量，因而电子的迁移率比空穴的大。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

12、判断题：
‍P型半导体主要靠空穴导电。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‏100晶向垂直于100晶面。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

14、判断题：
‍多晶的特点是长程有序，短程无序‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第三章 半导体材料2作业

1、单选题：
‏电子级纯的多晶硅的纯度为（）。‎
选项：
A: 99.9999999%
B: 99.9999%
C: 99%
D: 99.9%
答案: 【 99.9999999%】

2、单选题：
‍工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。‌
选项：
A: 直拉法
B: 沉积法
C: 区熔法
D: 三氯氢硅的氢还原法
答案: 【 三氯氢硅的氢还原法】

3、单选题：
‌单晶硅的电阻率测试采用（）。‎
选项：
A: 热探针法
B: 悬浮区熔法
C: 直流光电导衰减法
D: 四探针法
答案: 【 四探针法】

4、多选题：
‎多晶硅变成单晶硅需要具备以下（）条件。‌
选项：
A: 要有排列标准
B: 低温环境
C: 原子具有一定的动能，以便重新排列
D: 排列好的原子能稳定下来
答案: 【 要有排列标准;
原子具有一定的动能，以便重新排列;
排列好的原子能稳定下来】

5、多选题：
‌硅材料的缺陷主要有（）。‌
选项：
A: 体缺陷
B: 面缺陷
C: 点缺陷
D: 线缺陷
答案: 【 体缺陷;
面缺陷;
点缺陷;
线缺陷】

6、判断题：
‎温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‍如果掺入杂质的失配因子较大，晶格将会发生畸变。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‏晶体在（110）方向上腐蚀速度最快。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‎肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

第四章 硅平面工艺流程 作业

1、单选题：
‎MOS的中文含义是（）。‏
选项：
A: 硅衬底
B: 多晶硅
C: 双极型
D: 金属氧化物半导体
答案: 【 金属氧化物半导体】

2、单选题：
​LDD的中文含义是（）。‎
选项：
A: 轻掺杂源漏
B: 局部场氧化
C: 浅沟槽隔离
D: 侧墙掩蔽
答案: 【 轻掺杂源漏】

3、多选题