MOOC 微电子制造工艺(北京信息职业技术学院)1449928163 最新慕课完整章节测试答案
第一章 概述(4学时)
文章目录
第一章 测验
1、单选题:
第一个锗晶体管是()年发明
选项:
A: 1946
B: 1947
C: 1957
D: 1958
答案: 【 1947】
2、单选题:
集成电路的英文简称为( )。
选项:
A: IC
B: MCU
C: LCC
D: MIC
答案: 【 IC】
3、单选题:
8英寸硅片的直径大约()mm。
选项:
A: 150
B: 200
C: 300
D: 450
答案: 【 200】
4、判断题:
微电子学的核心是集成电路。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题:
集成电路按器件结构分主要可分为:双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题:
纳米是长度的单位,1纳米为1微米的1000倍。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题:
CD(Critical Dimension)是集成电路中半导体器件的最小尺寸,是衡量集成电路设计和制造水平的重要尺度。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题:
集成电路是通过一系列特定的加工工艺,将晶体管等元器件按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的复杂电子系统。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题:
集成电路按器件结构分主要可分为:双极型集成电路、 MOS集成电路和 BiCMOS集成电路等。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
10、填空题:
摩尔定律指出集成电路的晶体管的集成度每_____个月翻一番。
答案: 【 18##%_YZPRLFH_%##十八】
第二章 洁净技术(4学时)
第二章 测验
1、单选题:
1000级的概念是每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数不大于( )个。
选项:
A: 10
B: 100
C: 1000
D: 10000
答案: 【 1000】
2、单选题:
高效过滤器的英文简称是( )。
选项:
A: LEPA
B: HEPA
C: MIC
D: DHF
答案: 【 HEPA】
3、单选题:
过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液简称是( )。
选项:
A: DHF
B: SPM-1
C: SC-1
D: HPM
答案: 【 SC-1】
4、单选题:
中效过滤器主要滤除大于( )um的尘粒。
选项:
A: 10
B: 5
C: 1
D: 0.3
答案: 【 1】
5、多选题:
尘埃的测量方法有()、()、()。
选项:
A: 重量法
B: 四探针法
C: 过滤法
D: 计数法
答案: 【 重量法;
过滤法;
计数法】
6、判断题:
吸烟不会产生尘埃。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题:
风淋室可保证进入洁净室人员进行人身洁净和防止室外空气侵入。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题:
乱流洁净室比单向流洁净室洁净度高。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
9、判断题:
洁净度是用每立方英尺空气中所含的直径大于0.5微米的颗粒数来衡量。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、填空题:
10000级是指每立方英尺空气中,0.5um大小尘埃的个数不超过10000颗≈______个/升。(四舍五入取整,1立方英尺=28.3168升)
答案: 【 353】
第三章 半导体材料1(4学时)
第三章 半导体材料1作业
1、单选题:
掺入B元素的半导体为()型半导体
选项:
A: P
B: N
C: 本征半导体
D: 中性半导体
答案: 【 P】
2、单选题:
下列半导体属于第三代半导体的是()。
选项:
A: 硅
B: 锗
C: 砷化镓
D: 氮化镓
答案: 【 氮化镓】
3、单选题:
半导体行业最常用的半导体材料是()。
选项:
A: 氮化镓
B: 石墨烯
C: 硅
D: 砷化镓
答案: 【 硅】
4、单选题:
掺入P元素的半导体为()型半导体。
选项:
A: P
B: N
C: 中性半导体
D: 本征半导体
答案: 【 N】
5、单选题:
面心立方晶胞原子的个数是()。
选项:
A: 1
B: 2
C: 4
D: 8
答案: 【 4】
6、单选题:
硅的晶体结构是()形状。
选项:
A: 四面体结构
B: 无定形结构
C: 六面体结构
D: 平面结构
答案: 【 四面体结构】
7、单选题:
硅晶体内部的空间利用率是( )。
选项:
A: 24%
B: 34%
C: 44%
D: 66%
答案: 【 34%】
8、多选题:
最常用的形成N型半导体的杂质有()( )和()。
选项:
A: Sb
B: B
C: As
D: P
答案: 【 Sb;
As;
P】
9、多选题:
从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体的晶向是( )。
选项:
A: 000
B: 100
C: 110
D: 111
答案: 【 100;
110;
111】
10、判断题:
价带中含有的电子数量决定材料的导电性。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
11、判断题:
由于电子的有效质量小于空穴的有效质量,因而电子的迁移率比空穴的大。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
12、判断题:
P型半导体主要靠空穴导电。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题:
100晶向垂直于100晶面。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
14、判断题:
多晶的特点是长程有序,短程无序
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第三章 半导体材料2(4学时)
第三章 半导体材料2作业
1、单选题:
电子级纯的多晶硅的纯度为()。
选项:
A: 99.9999999%
B: 99.9999%
C: 99%
D: 99.9%
答案: 【 99.9999999%】
2、单选题:
工业上最常用的多晶硅制备方法是()。
选项:
A: 直拉法
B: 沉积法
C: 区熔法
D: 三氯氢硅的氢还原法
答案: 【 三氯氢硅的氢还原法】
3、单选题:
单晶硅的电阻率测试采用()。
选项:
A: 热探针法
B: 悬浮区熔法
C: 直流光电导衰减法
D: 四探针法
答案: 【 四探针法】
4、多选题:
多晶硅变成单晶硅需要具备以下()条件。
选项:
A: 要有排列标准
B: 低温环境
C: 原子具有一定的动能,以便重新排列
D: 排列好的原子能稳定下来
答案: 【 要有排列标准;
原子具有一定的动能,以便重新排列;
排列好的原子能稳定下来】
5、多选题:
硅材料的缺陷主要有()。
选项:
A: 体缺陷
B: 面缺陷
C: 点缺陷
D: 线缺陷
答案: 【 体缺陷;
面缺陷;
点缺陷;
线缺陷】
6、判断题:
温度升高会使点缺陷的平衡浓度增加。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题:
刃型位错是位错线与原子滑移方向相平行。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
8、判断题:
如果掺入杂质的失配因子较大,晶格将会发生畸变。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题:
晶体在(110)方向上腐蚀速度最快。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
10、判断题:
肖特基缺陷的特点是空位与填隙原子成对出现。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第四章 硅平面工艺流程(4学时)
第四章 硅平面工艺流程 作业
1、单选题:
MOS的中文含义是()。
选项:
A: 硅衬底
B: 多晶硅
C: 双极型
D: 金属氧化物半导体
答案: 【 金属氧化物半导体】
2、单选题:
LDD的中文含义是()。
选项:
A: 轻掺杂源漏
B: 局部场氧化
C: 浅沟槽隔离
D: 侧墙掩蔽
答案: 【 轻掺杂源漏】
3、多选题