MOOC 电力电子技术(江苏安全技术职业学院)1449994196 最新慕课完整章节测试答案
第1章 电力电子器件
1总复习测试
1、单选题：
电力变换通常包括哪几类？
选项：
A: AC/DC和DC/AC两大类。
B: AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C: AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D: DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。
答案: 【 AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。】
2、单选题：
电力电子器件同处理信息的电子器件相比，下面描述正确的是：
选项：
A: 电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B: 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。
C: 电力电子器件一般都工作在开通状态。
D: 电力电子器件一般都工作在关断状态。
答案: 【 能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。】
3、单选题：
下面对电力二极管描述正确的是哪个？
选项：
A: 电力二极管正向导通后，其正向压降为0V。
B: 电力二极管加反向电压就会被击穿。
C: 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
D: 电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。
答案: 【 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。】
4、单选题：
电力二极管的额定电流指的是：
选项：
A: 允许流过最大电流的平均值。
B: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C: 允许流过最大方波电流的平均值。
D: 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。】
5、单选题：
如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是：
选项：
A: 晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B: 晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
C: 晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D: 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
答案: 【 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。】
6、单选题：
如下所述，晶闸管是如何导通的：
选项：
A: 在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压，只要门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
B: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
C: 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
D: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压，门极也加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。
答案: 【 在晶闸管阳极、门极（都相对于阴极）加正向电压，产生足够的门极电流，则晶闸管导通。】
7、单选题：
如下所述，晶闸管门极的控制作用，表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
B: 晶闸管导通后，门极一旦无电流，则晶闸管就立即关断。
C: 晶闸管导通后，门极一旦加反向电压，则晶闸管就立即关断。
D: 晶闸管导通后，门极与阴极短路，则晶闸管就立即关断。
答案: 【 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。】
8、单选题：
已经导通的晶闸管是如何关断的？
选项：
A: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
B: 要使晶闸管关断，只能在晶闸管两端加反向电压。
C: 要使晶闸管关断，只能要求晶闸管门极电流等于0。
D: 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。
答案: 【 要使晶闸管关断，则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。】
9、单选题：
如下所述，晶闸管反向特性表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管加反向电压时，只要门极电流幅值较大，则晶闸管反向导通。
B: 反向特性类似于二极管的反向特性。
C: 晶闸管加反向电压时，只要门极也加反向电压，则晶闸管反向导通。
D: 晶闸管不允许加反向电压，如果加反向电压，立刻击穿。
答案: 【 反向特性类似于二极管的反向特性。】
10、单选题：
如下所述，晶闸管开通与关断表述正确的是：
选项：
A: 晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B: 晶闸管关断是即时完成的，开通需要一定时间的。
C: 晶闸管开通是即时完成的，关断需要一定时间的。
D: 晶闸管开通与关断都需要一定时间。
答案: 【 晶闸管开通与关断都需要一定时间。】
11、单选题：
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
选项：
A: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B: 允许流过最大方波电流的平均值。
C: 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D: 允许流过最大电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。】
12、单选题：
如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
选项：
A: 门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C: 门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D: 门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。】
13、单选题：
如下所述，GTO能够通过门极关断吗？
选项：
A: GTO能够（或可以）通过门极关断。
B: 只要门极关断功率足够大，GTO和SCR都能够通过门极关断。
C: GTO不能够通过门极关断。
D: GTO能够通过门极关断，但门极与阴极间不能加反向电压。
答案: 【 GTO能够（或可以）通过门极关断。】
14、判断题：
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题：
按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
16、判断题：
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题：
如果晶闸管原来是阻断的，即使有外加正向阳极电压，但如果无触发电流IG,则晶闸管仍然是阻断的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题：
晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
19、判断题：
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
20、判断题：
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
21、判断题：
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
22、判断题：
绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。