MOOC 电力电子技术(江苏安全技术职业学院)1449994196 最新慕课完整章节测试答案
第1章 电力电子器件
1总复习测试
1、单选题:
电力变换通常包括哪几类?
选项:
A: AC/DC和DC/AC两大类。
B: AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
C: AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
D: DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。
答案: 【 AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。】
2、单选题:
电力电子器件同处理信息的电子器件相比,下面描述正确的是:
选项:
A: 电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
B: 能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。
C: 电力电子器件一般都工作在开通状态。
D: 电力电子器件一般都工作在关断状态。
答案: 【 能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。】
3、单选题:
下面对电力二极管描述正确的是哪个?
选项:
A: 电力二极管正向导通后,其正向压降为0V。
B: 电力二极管加反向电压就会被击穿。
C: 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
D: 电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。
答案: 【 电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。】
4、单选题:
电力二极管的额定电流指的是:
选项:
A: 允许流过最大电流的平均值。
B: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
C: 允许流过最大方波电流的平均值。
D: 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。】
5、单选题:
如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是:
选项:
A: 晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B: 晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
C: 晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
D: 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。
答案: 【 晶闸管具有PNPN四层半导体结构。】
6、单选题:
如下所述,晶闸管是如何导通的:
选项:
A: 在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压,只要门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
B: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
C: 在晶闸管阳极、门极(都相对于阴极)加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
D: 在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极也加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
答案: 【 在晶闸管阳极、门极(都相对于阴极)加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。】
7、单选题:
如下所述,晶闸管门极的控制作用,表述正确的是:
选项:
A: 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
B: 晶闸管导通后,门极一旦无电流,则晶闸管就立即关断。
C: 晶闸管导通后,门极一旦加反向电压,则晶闸管就立即关断。
D: 晶闸管导通后,门极与阴极短路,则晶闸管就立即关断。
答案: 【 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。】
8、单选题:
已经导通的晶闸管是如何关断的?
选项:
A: 要使晶闸管关断,则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
B: 要使晶闸管关断,只能在晶闸管两端加反向电压。
C: 要使晶闸管关断,只能要求晶闸管门极电流等于0。
D: 要使晶闸管关断,则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。
答案: 【 要使晶闸管关断,则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。】
9、单选题:
如下所述,晶闸管反向特性表述正确的是:
选项:
A: 晶闸管加反向电压时,只要门极电流幅值较大,则晶闸管反向导通。
B: 反向特性类似于二极管的反向特性。
C: 晶闸管加反向电压时,只要门极也加反向电压,则晶闸管反向导通。
D: 晶闸管不允许加反向电压,如果加反向电压,立刻击穿。
答案: 【 反向特性类似于二极管的反向特性。】
10、单选题:
如下所述,晶闸管开通与关断表述正确的是:
选项:
A: 晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
B: 晶闸管关断是即时完成的,开通需要一定时间的。
C: 晶闸管开通是即时完成的,关断需要一定时间的。
D: 晶闸管开通与关断都需要一定时间。
答案: 【 晶闸管开通与关断都需要一定时间。】
11、单选题:
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个?
选项:
A: 允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
B: 允许流过最大方波电流的平均值。
C: 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
D: 允许流过最大电流的平均值。
答案: 【 允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。】
12、单选题:
如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:
选项:
A: 门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
B: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C: 门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D: 门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。】
13、单选题:
如下所述,GTO能够通过门极关断吗?
选项:
A: GTO能够(或可以)通过门极关断。
B: 只要门极关断功率足够大,GTO和SCR都能够通过门极关断。
C: GTO不能够通过门极关断。
D: GTO能够通过门极关断,但门极与阴极间不能加反向电压。
答案: 【 GTO能够(或可以)通过门极关断。】
14、判断题:
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题:
按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:半控型器件、全控型器件、不可控器件。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
16、判断题:
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
17、判断题:
如果晶闸管原来是阻断的,即使有外加正向阳极电压,但如果无触发电流IG,则晶闸管仍然是阻断的。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
18、判断题:
晶闸管反向阻断状态时,如果有触发电流IG,则晶闸管反向导通。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
19、判断题:
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
20、判断题:
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构,引出3个极。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
21、判断题:
N沟道增强型电力MOSFET,引出3个端,分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
22、判断题:
绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。