MOOC 半导体器件物理(哈尔滨理工大学)1452562168 最新慕课完整章节测试答案

第一讲单元测验

1、多选题：
单边突变结（one-sided step junction）的特点是‍​‍
选项：
A: P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B: P区和n区的掺杂浓度都是不均匀的
C: P区和n区两边的掺杂浓度差别不大
D: P区和n区两边的掺杂浓度有数量级的差别
答案: 【 P区和n区的掺杂浓度是均匀的;
P区和n区两边的掺杂浓度有数量级的差别】

2、多选题：
‎对于单边突变结，​
选项：
A: 耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧
B: 耗尽层宽度主要在重掺杂一侧
C: 内建电势主要降落在轻掺杂一侧
D: 内建电势主要降落在重掺杂一侧
答案: 【 耗尽层宽度主要在轻掺杂一侧;
内建电势主要降落在轻掺杂一侧】

第二讲单元测验

1、单选题：
正偏pn结耗尽层边界处少子浓度随着正偏电压的增加而‍‎‍
选项：
A: 基本不变
B: 线性增加
C: 指数增加
D: 对数增加
答案: 【 指数增加】

2、单选题：
对单边突变结，n区掺杂浓度远大于p区掺杂浓度，则构成正偏pn结电流的两个电流的两个分量Ip(xn)和In(-xp)中​‍​
选项：
A: Ip(xn)=In(-xp)
B:  Ip(xn)=2╳In(-xp)
C:  Ip(xn)>>In(-xp) 
D: Ip(xn)<<In(-xp)
答案: 【 Ip(xn)<<In(-xp)】

3、单选题：
pn结正向压降‍‌‍
选项：
A: 不随温度变化
B: 随着温度的增加略有增加
C: 随着温度的增加急剧增加
D: 随着温度的增加而减少
答案: 【 随着温度的增加而减少】

第三讲单元测验

1、单选题：
对单边突变结提高雪崩击穿电压主要‌‌‌
选项：
A: 降低轻掺杂一侧掺杂浓度
B: 增加轻掺杂一侧掺杂浓度
C: 降低重掺杂一侧掺杂浓度
D: 增加重掺杂一侧掺杂浓度
答案: 【 降低轻掺杂一侧掺杂浓度】

2、单选题：
‏ 对比雪崩击穿电压和隧道击穿电压的温度系数‌
选项：
A: 都具有正温度系数
B: 都具有负温度系数
C: 雪崩击穿电压具有正温度系数，隧道击穿电压具有负温度系数
D: 雪崩击穿电压具有负温度系数，隧道击穿