MOOC 2020秋微电子工艺（田丽）(哈尔滨工业大学)1460839163 最新慕课完整章节测试答案

第二讲 作业

1、单选题：
‍VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：‎
选项：
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】

2、多选题：
‍在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？‍
选项：
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】

3、判断题：
‌如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‎外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长      薄膜。​
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】

5、填空题：
‏VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源，硅烷是在        完成的分解。‌‏可从下面选择：‌‏气相‌‏硅片表面‌‏n-/n+Si界面‌
答案: 【 硅片表面】

第三讲 作业

1、单选题：
‍通常掩膜氧化采用的工艺方法为：‏
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】

2、多选题：
‏关于氧化速率下面哪种描述是正确的：‍
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时，氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
（111）硅比（100）硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律】

3、判断题：
​制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

4、填空题：
‌热氧化速率快慢排序：        氧化最快、        氧化次之、        氧化最慢。‎‌（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）‎
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】

5、填空题：
‎热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质        引起的。（两个字）‎
答案: 【 分凝】

第四讲 作业

1、单选题：

‍

‍选项：
A: 图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B: 图（a）、（b）都是限定源扩散
C: 图（a）、（b）都是恒定源扩散
D: 图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
答案: 【 图（a）、（b）都是限定源扩散】

2、单选题：
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸  ，这是        效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。‏‏‏
选项：
A: 大，横向扩散
B: 小，横向扩散
C: 大，场助扩散
D: 大，氧化增强
答案: 【 大，横向扩散】

3、多选题：
‏扩散系数在何时不可以看成是常数：‌
选项：
A: 在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B: 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C: 在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D: 在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
答案: 【 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。】

4、判断题：
‌一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误