MOOC 半导体物理学(北京工业大学)1449934186 最新慕课完整章节测试答案

第二章单元测验

1、单选题：
‌电子共有化运动指的是（）。 ​‌A 电子在晶体中各处出现的概率相同。​‌B 电子在晶胞中各处出现的概率相同。​‌C 电子在晶体中各元胞对应点处出现的概率相同。​‌D 电子在晶体中各元胞对应点有相同的相位。​‌​
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

2、单选题：
‏重空穴是指（）。​‏A 质量较大的原子组成的半导体中的空穴。​‏B 价带顶附近曲率半径较大的等能面上的空穴。​‏C 价带顶附近曲率半径较小的等能面上的空穴。​‏D 自旋-轨道耦合分裂出来的能带上的空穴。​‏​
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 B】

3、单选题：
有效复合中心的能级靠近（）。‌​A 禁带中部  B 导带  C 价带   D费米能级‌​‌
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 A】

4、单选题：
 把磷化镓在氮气氛围中退火，会有氮取代部分磷，这会在磷化镓中出现（）‏​A  改变禁带宽度  B 产生复合中心  C 产生空穴陷阱 D 产生等离子陷阱。‏​‏
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 D】

5、单选题：
‍ 如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。‌‍A 不含施主杂质   B 不含受主杂质  C 不含任何杂质  D 处于绝对零度‌‍‌
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 D】

6、单选题：
​同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数是乙的3/4，mn*/m0的值是乙的2倍，那么用类氢模型计算的结果是（）。​​​​A 甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4​​B 甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9​​C 甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3​​D 甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8​​​
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 D】

7、单选题：
‌ 如果杂质既有施主的作用也有受主的作用，则这种杂质称为（）。‌‌A 施主 B 受主 C 复合中心 D 两性杂质‌‌‌
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 D】

8、单选题：
‍硅中掺金的工艺主要用于制备（）器件。‏‍A 高可靠性   B 高反压   C  高频    D 大功率 ‏‍‏
选项：
A: A
B: B
C: C
D: D
答案: 【 C】

第三章单元测验

1、单选题：

​1. 根据质量作用定律表达式n0p0=，下面正确的说法是（  ）。

​

​A. 温度一定，材料一定，非简并半导体的载流子浓度乘积