MOOC 认识实习(东北大学)1459068162 最新慕课完整章节测试答案

第九章 测试

1、单选题：
‏光刻工艺所需要的三要素为：​
选项：
A: 光刻胶、掩模版和光刻机
B: 光源、光刻胶和曝光时间
C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
D: 光源、掩模版和超净间
E: 光源、光刻胶和掩模版
答案: 【 光源、光刻胶和掩模版】

2、单选题：
‍涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为    。‎
选项：
A: 后烘
B: 去水烘烤
C: 预烘
D: 烘烤
答案: 【 预烘】

3、单选题：
‏大尺寸硅片上生长的        的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性 。‏
选项：
A: 薄膜厚度
B: 图形宽度
C: 图形长度
D: 图形间隔
答案: 【 薄膜厚度】

4、判断题：
​在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。‍​‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、填空题：
‎单晶硅刻蚀一般采用    做掩蔽层。（在下面选择一个，填入）‏‎光刻胶、金属、二氧化硅、多晶硅‏
答案: 【 二氧化硅】

第一章 测试

1、单选题：
‎在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?​
选项：
A: （100）
B: （111）
C: （110)
D: (211)
答案: 【 （111）】

2、单选题：
‎磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：‍
选项：
A: 轴向均匀
B: 轴向递减
C: 轴向递増
D: 径向递减
答案: 【 轴向递减】

3、多选题：
‍关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确‏
选项：
A: 可以多次缩颈
B: 为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C: 为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D: 为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【 可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

4、判断题：
‏在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、填空题：
‏拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的  造成。‌
答案: 【 O##%_YZPRLFH_%##氧】

第三章 测试

1、单选题：
‎通常掩膜氧化采用的工艺方法为：‎
选项：
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】

2、多选题：
​关于氧化速率下面哪种描述是正确的：‏
选项：
A: 生长非常薄（<十几nm）的栅氧化层时，氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: （111）硅比（100）硅氧化得快
D: 有杂质（如Na、P等）存在，氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化