MOOC 模拟电子技术(东莞理工学院)1450428217 最新慕课完整章节测试答案

运算放大器测验题

1、单选题：
‎理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo =      ，输入电阻ri =      ，输出电阻ro =      。‎
选项：
A: 0，∞，∞
B: ∞，0，∞
C: ∞，0，0
D: ∞，∞，0
答案: 【 ∞，∞，0】

2、单选题：
‌        放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而        放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。​
选项：
A: 同相，反相
B: 反相，同相
C: 同相，同相
D: 反相，反相
答案: 【 反相，同相】

3、单选题：
‏欲将方波电压转换为三角波电压，应选用        。​
选项：
A: 反相输入式放大电路
B: 同相输入式放大电路
C: 积分运算电路
D: 微分运算电路
E: 加法运算电路
答案: 【 积分运算电路】

4、单选题：
‏欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用        。‍
选项：
A: 反相输入式放大电路
B: 同相输入式放大电路
C: 积分运算电路
D: 微分运算电路
E: 加法运算电路
答案: 【 微分运算电路】

5、单选题：
‌欲将输入电压信号放大-100倍，应选用        。‍
选项：
A: 反相输入式放大电路
B: 同相输入式放大电路
C: 积分运算电路
D: 微分运算电路
E: 同相加法运算电路
答案: 【 反相输入式放大电路】

6、单选题：

‍电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI =     ，Ri =      ；图（b）Av = vO/vI =     ，Ri =      。

‌

‍

‌选项：
A: 图（a）Av =11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
B: 图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
C: 图（a）Av = 11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
D: 图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
答案: 【 图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞】

7、单选题：

‍电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vO = f(vI) =      。

‏

‍

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

8、单选题：

‍理想运算放大器构成的电路如图10所示， =       。

‏

‍

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

9、单选题：

‏加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为      。

‏

‏

‏选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

10、单选题：

‌电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则=      。

‍

‌

‍选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

11、单选题：

​电路如图13所示，开关S闭合时电路增益 ＝      ；开关S断开时电路增益 ＝      。

‎

​

‎选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

12、判断题：
​在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

13、判断题：
‌在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

14、判断题：
‏集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

15、判断题：
‍放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

16、判断题：
‎电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

二极管及其基本电路测验题

1、单选题：
‏半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中        的移动。‎
选项：
A: 自由电子
B: 共价键中价电子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 共价键中价电子】

2、单选题：
‎N型半导体中的多数载流子是       ，而P型半导体中的多数载流子是       。‎
选项：
A: 自由电子，空穴
B: 空穴，自由电子
C: 自由电子，正离子
D: 空穴，负离子
E: 空穴，正离子
F: 自由电子，负离子
答案: 【 自由电子，空穴】

3、单选题：
‍PN结内电场方向是由          。‍
选项：
A: N区指向P区
B: P区指向N区
C: 不确定
D: 与外加电压有关
答案: 【 N区指向P区】

4、单选题：
​PN结正偏是指         。‍
选项：
A: N区电位高于P区
B: P区电位高于N区
C: P区和N区电位相等
D: 与外加电压无关
答案: 【 P区电位高于N区】

5、单选题：
‏二极管正偏时应重点关注         ，反偏时应重点关注          。​
选项：
A: 导通电流和耗散功率，最大反向电压
B: 最高工作频率，最大反向电压
C: 最高工作频率，导通电流和耗散功率
D: 结电容，最高工作频率
E: 最大反向电压，结电容
答案: 【 导通电流和耗散功率，最大反向电压】

6、单选题：
‏齐纳二极管正常稳压时，工作在          状态。‍
选项：
A: 正向导通
B: 反向截止
C: 反向击穿
D: 放大
答案: 【 反向击穿】

7、单选题：
‌点亮发光二极管应加         ，光电二极管正常工作时应加          ，变容二极管正常工作时应加          。‍
选项：
A: 正偏电压，反偏电压，反偏电压
B: 正偏电压，反偏电压，零偏压
C: 反偏电压，正偏电压，正偏电压
D: 反偏电压，正偏电压，反偏电压
E: 正偏电压，正偏电压，反偏电压
答案: 【 正偏电压，反偏电压，反偏电压】

8、单选题：
‏已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd =           。​
选项：
A: 19.2 kΩ
B: 1 kΩ
C: 52 kΩ
D: 52 Ω
答案: 【 52 Ω】

9、单选题：

‎设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        。

‎

‎

‎选项：
A: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B: 10mA，1mA；9.3mA，3mA
C: 1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D: 10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
答案: 【 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA】

10、单选题：

​12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为        ，二极管两端的最大反向电压为         。

‍

​

‍选项：
A: 240mA，24V
B: 120mA，12V
C: 120mA，36V
D: 360mA，36V
答案: 【 120mA，36V】

11、单选题：

‏电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为         ，整流电流应为         。

‍

‏

‍选项：
A: 220V，0.99A
B: 220V，2.2A
C:
D:
答案: 【 】

12、单选题：

‏电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是         。

‍

‏

‍选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

13、单选题：

二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是            。

‍

   

‍

‎

‍选项：
A: vO的a列
B: vO的b列
C: vO的c列
D: vO的d列
答案: 【 vO的b列】

14、单选题：

‏电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为      ，vO的静态电压      ；动态时，vO的交流电压振幅为      。

‏

‏

‏选项：
A: 2mA，2V；0.05V
B: 1.3mA，1.3V；0.05V
C: 2mA，2V；0.049V
D: 1.3mA，1.3V；0.049V
答案: 【 1.3mA，1.3V；0.049V】

15、单选题：

​稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是         。

​

​

​选项：
A: 大于111W
B: 小于111W
C: 大于111kW
D: 小于111kW
答案: 【 大于111W】

16、判断题：
‍半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

17、判断题：
‎对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
​二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
‏通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
‎在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

场效应管及其放大电路测验题

1、单选题：
‏场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小，因此它是_______控制器件。​
选项：
A: 电流，电场
B: 电场，电压
C: 电流，电压
D: 电压，电流
答案: 【 电场，电压】

2、单选题：
​N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。‏
选项：
A: 空穴
B: 电子
C: 电子和空穴
D: 正离子
E: 负离子
答案: 【 电子】

3、单选题：
‍P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。‌
选项：
A: 正值
B: 负值
C: 零值
D: 不确定的
答案: 【 负值】

4、单选题：

​一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_______场效应管。

‏

​

‏选项：
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道增强型
D: P沟道耗尽型
答案: 【 P沟道增强型】

5、单选题：
‎在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_______放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_______放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；________放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；________放大电路输出电阻小；_______放大电路输入电阻小。‍
选项：
A: 共漏，共源，共栅，共漏，共栅
B: 共源，共漏，共栅，共漏，共栅
C: 共漏，共栅，共源，共漏，共栅
D: 共漏，共栅，共漏，共源，共栅
答案: 【 共漏，共源，共栅，共漏，共栅】

6、单选题：
‏用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。‎
选项：
A: 大
B: 小
C: 相等
D: 不能确定
答案: 【 大】

7、单选题：

​在图示电路中，已知各MOS管的çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_______。

‏

​

‏选项：
A: 图（a）
B: 图（b）
C: 图（c）
D: 图（a）和图（b）
E: 图（b）和图（c）
F: 图（a）和图（c）
答案: 【 图（b）】

8、单选题：
‎当栅源电压为0V时，_______MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。‍
选项：
A: N沟道耗尽型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: P沟道增强型
答案: 【 N沟道耗尽型】

9、单选题：

​试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是________（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。

​

​

​选项：
A: 图（a）
B: 图（b）
C: 图（c）
D: 图（d）
答案: 【 图（b）】

10、单选题：

‎ 设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_______。

​

‎

​选项：
A: 图（b）
B: 图（c）
C: 图（d）
D: 图（b）和图（d）
答案: 【 图（d）】

11、单选题：

‍已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V