MOOC 集成电路设计(北京信息科技大学)1450318389 最新慕课完整章节测试答案

第一部分第一次测验

1、单选题：
‍题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是：     。​
选项：
A: 2016年7月 
B: 2017年7月 
C: 2016年9月     
D: 2017年9月
答案: 【 2016年7月 】

2、单选题：
‏题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是：     。​
选项：
A: 资本密集
B: 技术密集    
C: 低风险
D: 高风险
答案: 【 低风险】

3、单选题：
​题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：     个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。‍
选项：
A: 12     
B: 18   
C: 24    
D: 36
答案: 【 18   】

4、单选题：
​题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是：    。​
选项：
A: More Moore    
B: More than Moore    
C: Beyond CMOS  
D: SoC
答案: 【 SoC】

5、单选题：
‍题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：    。​
选项：
A: LSI    
B: VLSI   
C: ULSI    
D: SoC
答案: 【 VLSI   】

6、单选题：
‌题1-1-6       年发明了世界上第一个点接触型晶体管。‏
选项：
A: 1947     
B: 1948    
C: 1957   
D: 1958
答案: 【 1947     】

7、单选题：
‌题1-1-7       年发明了世界上第一块集成电路。‏
选项：
A: 1957    
B: 1958   
C: 1959   
D: 1960
答案: 【 1958   】

8、单选题：
‎题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是：     。​
选项：
A: 基尔比    
B: 摩尔    
C: 张忠谋    
D: 胡正明
答案: 【 胡正明】

9、单选题：
‎题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者：     。‌
选项：
A: 基尔比     
B: 摩尔    
C: 张忠谋    
D: 胡正明
答案: 【 张忠谋    】

10、单选题：
‍题1-1-10 世界第一块集成电路发明者：     。‏
选项：
A: 基尔比     
B: 摩尔    
C: 张忠谋    
D: 胡正明
答案: 【 基尔比     】

第二部分第一次测验

1、单选题：
题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。​
选项：
A: 夹断  
B: 反型 
C: 导电
D: 耗尽
答案: 【 夹断  】

2、单选题：
‌题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。‌
选项：
A: 反型
B: 夹断
C: 耗尽
D: 导通
答案: 【 耗尽】

3、单选题：
‏题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。‌
选项：
A: 亚阈值区 
B: 深三极管区
C: 饱和区
D: 三极管区
答案: 【 饱和区】

4、单选题：
‎题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。​
选项：
A: 电子
B: 空穴   
C: 正电荷
D: 负电荷
答案: 【 空穴   】

5、单选题：
‏题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。‍
选项：
A: 夹断层
B: 反型层    
C: 导电层
D: 耗尽层
答案: 【 反型层    】

6、单选题：

​题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。

‎

​

‎选项：
A: 截止区
B: 深三极管区
C: 三极管区
D: 饱和区
答案: 【 饱和区】

7、单选题：

‍题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。 

‏

‍

‏选项：
A: 增大 
B: 不变
C: 减小
D: 可大可小
答案: 【 增大 】

8、单选题：
​题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。‌
选项：
A: 大
B: 小
C: 近似于W
D: 精确
答案: 【 大】

9、单选题：
​题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。‌‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

10、单选题：

‍题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

​选项：
A: 体 
B: 衬偏 
C: 沟长调制
D: 亚阈值导通
答案: 【 沟长调制】

第二部分第二次测试

1、单选题：
‌题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。‎
选项：
A: 栅极氧化层电容
B: 耗尽层电容
C: 源漏交叠电容
D: 结电容
答案: 【 栅极氧化层电容】

2、单选题：
‍题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。‏
选项：
A: 截止
B: 三极管   
C: 深三极管
D: 饱和
答案: 【 饱和】

3、单选题：
‎题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。‍
选项：
A: MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C: MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D: MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
答案: 【 MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。】

4、单选题：
‌题2-2-4、 一个MOS管的本征增益表述错误的是（ ）。‎
选项：
A:
B: 在一定程度上，与该MOS管的过驱动电压成反比 
C: 与MOS尺寸无关
D: 与MOS管电流无关
答案: 【 与MOS管电流无关】

5、单选题：

‎题2-2-5、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。

‏

‏

‎

‏选项：
A: 亚阈值区
B: 深三极管区
C: 三极管区 
D: 饱和区
答案: 【 饱和区】

6、单选题：
‌题2-2-6、工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个（  ）。​
选项：
A: 恒压源  
B: 电压控制电流源
C: 恒流源
D: 电流控制电压源
答案: 【 电压控制电流源】

7、单选题：
‎题2-2-7、MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

8、单