2024知到答案模拟集成电路设计（广东工业大学）完整智慧树网课章节测试答案

第一章单元测试

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1、判断题：
现代集成电路的生产可以使用各种工艺包括硅工艺和GaN GaAs SiGe等化合物工艺。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

2、判断题：
集成电路设计可以包含模拟集成电路设计、数字集成电路设计、数模混合集成电路设计等很多方面。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

1、判断题：
NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

2、判断题：
MOS管器件流控电压源。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

3、判断题：
MOS管的小信号输出电阻是由 MOS 管的体效应产生的。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

4、判断题：
MOS器件中，保持 VDS 不变，随着 VGS的增加， MOS 器件将从截止区到线性区最后到饱和区。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

5、单选题：
在CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让MOS 管工作在（）区。
选项：
A:饱和区
B:三极管区
C:深三极管区
D:亚阈值区
答案: 【饱和区】

6、单选题：
MOS管一旦出现 () 现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。（）
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断】

7、单选题：
( ) 表征了MOS器件的灵敏度。
选项：
A:gmb
B:uncox
C:gm
D:ro
答案: 【gm】

8、单选题：
模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）
选项：
A:输入电阻
B:增益
C:输出摆幅
D:输出电阻
答案: 【输出摆幅】