绪论 单元测试

1、单选题:
微纳加工是以平面集成加工为代表的非传统的加工方法,加工形成的部件或结构本身的尺寸在( )量级。
选项:
A:纳米
B:微米或纳米
C:微米
答案: 【微米或纳米

2、多选题:
光刻工艺的基本要素主要包括( )。
选项:
A:对准系统
B:光刻胶
C:光源
答案: 【对准系统;
光刻胶;
光源

3、单选题:
刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数:( )。
选项:
A:刻蚀的方向性
B:掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性
C:掩膜的抗刻蚀比
答案: 【掩膜的抗刻蚀比和刻蚀的方向性

4、判断题:
间接加工技术能够绕过现有设备加工能力极限,意指直接光刻技术,其图形结构的分辨率决定于某种光刻方法的分辨率。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、判断题:
间接加工技术就是光刻加图形转移技术。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

第一章 单元测试

1、单选题:
光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到( )上。
选项:
A:底片
B:Si片
C:光刻胶
答案: 【光刻胶

2、单选题:
软接触通过调整( )实现。
选项:
A:掩膜厚度
B:压力大小
C:曝光强度
答案: 【压力大小

3、多选题:
接触式曝光分为( )。
选项:
A:软接触
B:硬接触
C:无压接触
答案: 【软接触 ;
硬接触

4、判断题:
分辨率就是能够清晰分辨出间隔很近的特征图形的能力。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

5、判断题:
正胶在感光时,使聚合物发生交联。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

第二章 单元测试

1、单选题:
先进的电子束曝光机主要适用于( )以下的超微细加工。
选项:
A:0.5毫米
B:0.5纳米
C:0.5微米
答案: 【0.5微米

2、单选题:
电子束曝光的曝光效率( )光学曝光。
选项:
A:近似于
B:远大于
C:远小于
答案: 【远小于

3、判断题:
电子枪包括发射电子的阴极和对发射电子聚束的电子透镜。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

4、判断题:
光栅扫描是对整个曝光场扫描,但电子束曝光快门只在曝光图形部分打开。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

5、多选题:
曝光平面电子束斑包含各种像差,( )为主要像差。
选项:
A:像散
B:球差
C:色差
答案: 【球差;
色差

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注