MOOC 材料制备与加工工艺(广东工业大学)1463186167 最新慕课完整章节测试答案
第一章集成电路
随堂测验1
1、多选题：
集成电路制备用到的工艺有
选项：
A: 氧化
B: 掺杂
C: 图形转移
D: 刻蚀
答案: 【 氧化;
掺杂;
图形转移;
刻蚀】
随堂测验10
1、多选题：
二氧化硅薄膜的制备方法有
选项：
A: 热氧化法
B: 化学气相沉积法
C: 物理法沉积
D: 阳极氧化法
答案: 【 热氧化法 ;
化学气相沉积法;
物理法沉积;
阳极氧化法】
随堂测验11
1、单选题：
在光刻胶层中形成的潜在图形，使用溶剂溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩膜板上的电路图，转移到光刻胶上的过程称为
选项：
A: 湿影
B: 曝光
C: 显影
D: 图形转移
答案: 【 显影】
随堂测验12
1、判断题：
正胶的曝光区域结构被破坏，被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形，与掩膜板上图形相反。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验13
1、多选题：
煎烘（后烘）的目的是
选项：
A: 去除由于显影液的浸泡引起的胶膜软化、溶胀现象
B: 使残留的光刻胶溶剂全部挥发
C: 使胶膜附着能力增强，拉伸应力的增加
D: 除去剩余的显影液和水
答案: 【 去除由于显影液的浸泡引起的胶膜软化、溶胀现象;
使残留的光刻胶溶剂全部挥发;
使胶膜附着能力增强，拉伸应力的增加;
除去剩余的显影液和水】
随堂测验14
1、单选题：
按照掩模图形或设计要求，对半导体衬底表面，或表面覆盖薄膜，进行选择性腐蚀或剥离的过程称为
选项：
A: 图形转移
B: 曝光
C: 显影
D: 刻蚀
答案: 【 刻蚀】
随堂测验15
1、判断题：
干法刻蚀具有保真度好，图形分辨率高等优点。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验16
1、多选题：
干法刻蚀技术的类型有
选项：
A: 物理性刻蚀
B: 化学性刻蚀
C: 物理化学性刻蚀
D: 氢氟酸溶液
答案: 【 物理性刻蚀;
化学性刻蚀;
物理化学性刻蚀】
随堂测验17
1、单选题：
如图所示，该掺杂扩散类型为
选项：
A: 固态源箱法扩散法
B: 固态源涂源法扩散法
C: 液态源扩散法
D: 气态源扩散法
答案: 【 液态源扩散法】
2、单选题：
离子注入掺杂产生的基体损伤可以通过（ ）恢复。
选项：
A: 高温退火处理
B: 中温退火处理
C: 低温退火处理
D: 正火处理
答案: 【 高温退火处理】
随堂测验18
1、判断题：
扩散法比离子注入法掺杂均匀性及重复性好。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验19
1、多选题：
固相扩散的方式有
选项：
A: 跳跃式扩散
B: 间隙式扩散
C: 替位式扩散
D: 间隙—替位式扩散
答案: 【 间隙式扩散;
替位式扩散;
间隙—替位式扩散】
2、多选题：
离子注入的特点是
选项：
A: 纯度高B. C. D.
B: 过程低温
C: 产生缺陷
D: 设备相对复杂
答案: 【 纯度高B. C. D. ;
过程低温;
产生缺陷;
设备相对复杂】
随堂测验2
1、判断题：
微电子工艺是指用半导体材料制作微电子产品的方法、原理、技术。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验20
1、单选题：
子束外延是在（ ）条件下，在单晶衬底表面生长出外延层。
选项：
A: 低真空
B: 中真空
C: 高真空
D: 超高真空
答案: 【 超高真空】
随堂测验21
1、判断题：
异质外延是指异质外延衬底和外延层的材料不同，晶体结构和晶格常数不可能完全匹配。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验22
1、多选题：
按工艺方法划分，外延有（ ）等类型。
选项：
A: 气相外延
B: 液相外延
C: 固相外延
D: 分子束外延
答案: 【 气相外延;
液相外延;
固相外延;
分子束外延】
随堂测验23
1、单选题：
反应室侧壁温度保持等于放置硅片的基座温度的系统称为
选项：
A: 低温CVD系统
B: 热壁式CVD系统
C: 冷壁式CVD系统
D: 等温CVD系统
答案: 【 热壁式CVD系统】
随堂测验24
1、判断题：
反应剂需有足够低的蒸气压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验25
1、多选题：
影响等离子增强化学气相沉积速率的影响因素有
选项：
A: 反应器的结构
B: 射频功率的强度和频率
C: 反应剂与稀释剂气体量固相外延
D: 抽气速率和衬底温度
答案: 【 反应器的结构 ;
射频功率的强度和频率;
反应剂与稀释剂气体量固相外延;
抽气速率和衬底温度】
随堂测验26
1、单选题：
磁控溅射法是在阴极靶面上建立一个（ ），以控制二次电子的运动，延长电子飞向阳极的行程，使其尽可能多产生几次碰撞电离，从而增加了离子密度，提高溅射效率。
选项：
A: 磁场
B: 电场
C: 光场
D: 力场
答案: 【 磁场】
随堂测验27
1、判断题：
真空蒸镀法制备的一般是单晶金属薄膜。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验28
1、多选题：
按加热器的不同，真空蒸镀法有（ ）等类型
选项：
A: 电阻加热蒸镀
B: 电子束(EB)蒸镀
C: 激光蒸镀
D: 高频感应蒸镀
答案: 【 电阻加热蒸镀;
电子束(EB)蒸镀;
激光蒸镀;
高频感应蒸镀】
随堂测验29
1、单选题：
如下图所示，该芯片为（ ）
选项：
A: 正装芯片
B: 横装芯片
C: 倒装芯片
D: 镶嵌芯片
答案: 【 倒装芯片】
随堂测验3
1、判断题：
将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，称为PN结
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
半导体接上电源就能够导电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验30
1、判断题：
倒装芯片能够提高单位芯片电子回路上输入输出端(I/O)的数量，以达到更高的密集度。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验31
1、多选题：
用于制备用于阻挡凸点下金属层与芯片电极间的相互扩散的阻挡层常用金属为
选项：
A: Ni
B: Ti
C: Pd
D: Pt
答案: 【 Ni ;
Ti;
Pd;
Pt】
随堂测验32
1、单选题：
（ ）、晶圆或裸芯片硅通孔间进行的相互连接称为硅通孔互连。
选项：
A: 载体
B: 基座
C: 热沉
D: 机盖
答案: 【 载体】
随堂测验33
1、判断题：
为达到元器件体积微小型化、结构一体化和多功能化的目的，将芯片在Z轴方向进行堆叠并实现芯片间的互连，称为芯片三维互连或芯片三维封装。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
随堂测验34
1、多选题：
堆叠封装的局限性为
选项：
A: 芯片间的通讯距离较长
B: 体积增大
C: 信号损耗问题不容忽略
D: 系统功能减少
答案: 【 芯片间的通讯距离较长;
信号损耗问题不容忽略】
随堂测验35
1、单选题：
70%的异构集成封装基板均使用（ ）。
选项：
A: 碳基板
B: 铜基板
C: 硅基板
D: 有机基板
答案: 【 有机基板】
随堂测验36
1、判断题：
芯片异构集成是将大部分功能集成到一个芯片中的芯片系统集成。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
随堂测验37
1、多选题：
芯片扇出异构集成的特点包括（ ）
选项：
A: 使用模塑料嵌入芯片
B: 在层压型封装基板上集成芯片
C: 使用封装基板引出电极
D: 直接在重组晶圆上制作再布线层及其电极
答案: 【 使用模塑料嵌入芯片;
直接在重组晶圆上制作再布线层及其电极】
随堂测验4
1、多选题：
三极管的类型有
选项：
A: PNP型
B: NPN型
C: PNN型
D: PPN型
答案: 【 PNP型;
NPN型】