MOOC 模拟电路与系统（刘圆圆老师卓越学院）(杭州电子科技大学)1206453832 最新慕课完整章节测试答案

第1周课前测验

1、单选题：
‌纯净、无杂质且无晶格缺陷的半导体材料称为（  ）。‏
选项：
A: 本征半导体
B: 杂质半导体
C: 化合物半导体
D: 氧化物半导体
答案: 【 本征半导体】

2、单选题：
​PN结的形成过程可以简述如下：​
选项：
A: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
B: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡
C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡
D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
答案: 【 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡】

3、单选题：
‌室温下无外力作用时，本征半导体中的载流子主要由（   ）产生。‍
选项：
A: 本征激发
B: 电场作用
C: 地心引力
D: 相互作用力
答案: 【 本征激发】

4、单选题：
​常用于电子器件制作的元素半导体材料一般是（  ）元素。‏
选项：
A: +4价
B: +3价
C: +5价
D: +6价
E: +2价
F: +1价
答案: 【 +4价】

5、单选题：
​杂质半导体中空穴和自由电子（  ）。‏
选项：
A: 浓度不再相等
B: 浓度始终相等
C: 随着温度上升，浓度逐渐下降
D: 浓度都与掺杂浓度相等
答案: 【 浓度不再相等】

6、单选题：
‏P型半导体（  ）。‍
选项：
A: 掺入+5价杂质元素
B: 掺入+3价杂质元素
C: 多数载流子为自由电子
D: 多数载流子为空穴
E: 少数载流子为自由电子
F: 少数载流子为空穴
G: 杂质被称为施主杂质
H: 杂质被称为受主杂质
I: 掺入+4价杂质元素
J: 杂质离子带正电荷
K: 杂质离子带负电荷
答案: 【 掺入+3价杂质元素;
多数载流子为空穴;
少数载流子为自由电子;
杂质被称为受主杂质;
杂质离子带负电荷】

7、单选题：
‌PN结形成后（  ）。‎
选项：
A: 内部载流子将静止不动
B: 接触面上无载流子通过
C: 接触面上无电流通过
D: 接触面两边形成空间电荷区
E: 势垒区内的离子固定不动
F: 接触面两侧空间电荷区的宽度始终相等
G: 接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比
答案: 【 接触面两边形成空间电荷区;
势垒区内的离子固定不动;
接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比】

8、单选题：
​当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将____。‏
选项：
A: 变窄
B: 变宽
C: 基本不变
D: 一侧变窄，一侧变宽
答案: 【 变窄】

9、多选题：
‏下面对PN结单向导电性描述正确的是（）‌
选项：
A: 反偏时PN结等效为一个大电阻
B: 正向导通，反向截止
C: 正向导通，反向截止
D: 正偏时PN结内有较大电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
答案: 【 反偏时PN结等效为一个大电阻;
正向导通，反向截止】

10、多选题：
‍本征半导体中自由电子和空穴（  ）。‎
选项：
A: 由本征激发产生
B: 因本征复合而消失
C: 成对产生或成对消失
D: 浓度始终相等
E: 带电极性相同
F: 浓度始终不等
G: 浓度有时相等，有时不等
H: 可从外界吸收获取
答案: 【 由本征激发产生;
因本征复合而消失;
成对产生或成对消失;
浓度始终相等】

11、多选题：
‎由外电场作用引起半导体内载流子运动，则（   ）。‌
选项：
A: 运动方式为漂移运动
B: 形成的电流为漂移电流
C: 电场强度越大，引起的电流越大
D: 运动方式为扩散运动
E: 形成的电流为扩散电流
F: 电场强度越大，引起的电流越小
G: 引起的电流方向与其载流子运动方向相反
H: 引起的电流方向与其载流子运动方向相同
答案: 【 运动方式为漂移运动;
形成的电流为漂移电流;
电场强度越大，引起的电流越大】

12、多选题：
‎N型半导体（   ）。​
选项：
A: 掺入+5价杂质元素
B: 多数载流子为自由电子
C: 掺入+3价杂质元素
D: 掺入+4价杂质元素
E: 多数载流子为空穴
F: 少数载流子为自由电子
G: 少数载流子为空穴
H: 杂质被称为施主杂质
I: 杂质被称为受主杂质
J: 杂质离子带正电荷
K: 杂质离子带负电荷
答案: 【 掺入+5价杂质元素;
多数载流子为自由电子;
少数载流子为空穴;
杂质被称为施主杂质;
杂质离子带正电荷】

13、多选题：
​杂质半导体中（  ）。‌
选项：
A: 多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度
B: 少子浓度主要依赖于温度
C: 少子由本征激发产生
D: 多子和少子的带电极性总是相反的
E: 多子和少子的带电极性总是相同的
F: 多子浓度主要依赖于温度
G: 少子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度
H: 多子由本征激发产生
I: 多子和少子浓度相同
答案: 【 多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度;
少子浓度主要依赖于温度;
少子由本征激发产生;
多子和少子的带电极性总是相反的】

14、多选题：
‌PN结的击穿现象（  ）。‎
选项：
A: 是在加足够大的反偏电压时出现的
B: 根据击穿机理的不同，分为雪崩击穿和齐纳击穿
C: 产生原因是由于外电场过强
D: 产生原因是载流子运动速度过快
E: 电击穿在有保护的条件下是可逆的
F: 热击穿在有保护的条件下是可逆的
答案: 【 是在加足够大的反偏电压时出现的;
根据击穿机理的不同，分为雪崩击穿和齐纳击穿;
电击穿在有保护的条件下是可逆的】

15、多选题：
‍雪崩击穿（  ）。‍
选项：
A: 出现在掺杂浓度相对较低的PN结中
B: 出现在掺杂浓度相对较高的PN结中
C: 表现出的现象为场致激发
D: 撤去外电场后PN结已烧毁
E: 表现出的现象为碰撞电离
F: 在有安全措施前提下是可逆的
答案: 【 出现在掺杂浓度相对较低的PN结中;
表现出的现象为碰撞电离;
在有安全措施前提下是可逆的】

16、多选题：
‎PN结电容效应（  ）。​
选项：
A: 只在通过PN结的信号频率较高时才体现出来
B: 只在通过PN结的信号频率较低时才体现出来
C: 在PN结被正偏或反偏均会出现
D: 在PN结反偏时才出现
E: 在PN结正偏时才出现
F: 等效出的结电容与PN结体电阻是并联关系
G: 等效出的结电容与PN结体电阻是串联关系
答案: 【 只在通过PN结的信号频率较高时才体现出来;
在PN结被正偏或反偏均会出现;
等效出的结电容与PN结体电阻是并联关系】

17、多选题：
‍温度升高时（   ）‏
选项：
A: 本征激发增强
B: 在同样的正向电流下，减小
C: 反向饱和电流增大
D: 反向击穿电压增大
E: 反向击穿电压减小
F: 本征激发减弱
G: 在同样的正向电流下，增大
答案: 【 本征激发增强;
在同样的正向电流下，减小;
反向饱和电流增大】

18、判断题：
‏本征半导体的导电能力只比杂质半导体差一点点。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

19、判断题：
‍杂质半导体是在本征半导体内随机加入特定杂质的过程，且掺入杂质越多越好。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

20、判断题：
‍PN结可由一块P型半导体和一块N型半导体粘合而成。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

21、判断题：
‍N型半导体的多数载流子为自由电子，由+5价元素作为受主杂质掺杂而成，杂质离子带一个单位正电荷。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

22、判断题：
‏P型半导体的多数载流子为空穴，由+3价元素作为受主杂质掺杂而成，杂质