MOOC 半导体材料(浙江大学)1463203162 最新慕课完整章节测试答案
第一章 半导体材料概论
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第一章 测验
1、单选题：
以下几种材料为宽禁带半导体的是
选项：
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: GaN
答案: 【 GaN】
2、单选题：
以下对于半导体材料电学特性描述正确的是
选项：
A: 电子空穴导电
B: 常温下电阻率可以为10E-4 Ω·cm
C: 构成P-N结，加正向电压无电流通过，加反向电压有电流通过
D: 电阻率随温度的增加而增加
答案: 【 电子空穴导电】
3、单选题：
半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性
选项：
A: 光生伏特效应
B: 电致发光特性
C: 高纯特性
D: 高完整特性
答案: 【 电致发光特性】
4、单选题：
以下对于半导体的描述错误的是
选项：
A: 半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B: 第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C: 在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D: 目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300 mm的生产线
答案: 【 第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛】
5、判断题：
半导体材料是一门交叉了材料、能源、信息三大类的学科。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
半导体的导电特性与金属相同。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题：
为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
在光伏领域，硅材料是应用最为广泛的半导体材料。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第二章 晶体生长原理
第二章 测验
1、单选题：
以下对于晶体生长描述正确的是
选项：
A: 晶体生长是平衡过程。
B: 晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C: 晶体的原子最密排面表面能最低。
D: 晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。
答案: 【 晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。】
2、单选题：
以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是
选项：
A: 晶体的生长单元比例x=NA/N,如果x＞50%就是粗糙界面，x＜50%就是光滑界面
B: x=50%是粗糙界面，x=0%或者100% 为光滑界面
C: 界面的相对吉布斯自由能与x无关。
D: 对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长。
答案: 【 x=50%是粗糙界面，x=0%或者100% 为光滑界面】
3、单选题：
以下对于非均匀形核的描述错误的是
选项：
A: 一般所有的杂质都可以充当形核的基底
B: 降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点
C: 当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零
D: 杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核
答案: 【 一般所有的杂质都可以充当形核的基底】
4、单选题：
以下对于晶体生长的方法描述错误的是
选项：
A: 金刚石一般采取固相生长法
B: Si晶体一般采用溶液生长法
C: GaN可以采取气相生长法
D: 任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生。
答案: 【 Si晶体一般采用溶液生长法】
5、判断题：
晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才能自发进行熔-固相转变。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题：
在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
8、判断题：
硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第三章 晶体生长技术
第三章 测验
1、单选题：
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是
选项：
A: 材料必须在熔化过程中成分不变
B: 材料在是温和熔点之间能够发生相变
C: 二氧化硅可以用于熔体生长法
D: 材料在熔化前能够分解
答案: 【 材料必须在熔化过程中成分不变】
2、单选题：
目前生长半导体体单晶最常见的方法是
选项：
A: 直拉法
B: CVD法
C: 布里兹曼法
D: 液相外延法
答案: 【 直拉法】
3、单选题：
生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法
选项：
A: 温差水热法
B: 直拉法
C: CVD法
D: 区熔法
答案: 【 温差水热法】
4、判断题：
SiC可以用熔体生长法。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、判断题：
生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
7、判断题：
区熔法可以生长熔点极高的晶体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】