MOOC 微电子工艺(武夷学院)1450291234 最新慕课完整章节测试答案
第二讲介绍第2章外延包括外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
文章目录
- 第二讲介绍第2章外延包括外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
- 第三讲介绍第3章热氧化包括SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
- 第四讲介绍第4章扩散包括扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
- 第五讲介绍第5章离子注入包括离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等共八节内容
- 第六讲介绍第6章化学汽相淀积包括CVD概述CVD工艺原理、方法二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。
- 第七讲介绍第7章物理汽相淀积包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容
- 第八讲介绍第8章光刻工艺包括光刻概述光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。
- 第九讲介绍第九章刻蚀技术包括刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。
- 第十讲介绍典型工艺集成包括金属化、隔离技术以及CMOS电路、双极型电路工艺。
- 第1章硅片的制备
第二讲作业
1、单选题:
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
选项:
A: 自掺杂效应
B: 互扩散效应
C: 衬底表面没清洗干净的缘故。
D: 掺杂气体不纯
答案: 【 互扩散效应】
2、多选题:
在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中,哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层?
选项:
A: MBE
B: VPE、LPE
C: UHV/CVD
D: SEG、SPE
答案: 【 MBE;
UHV/CVD】
3、判断题:
如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题:
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长 薄膜。
答案: 【 晶体##%_YZPRLFH_%##单晶】
5、填空题:
VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在 完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
答案: 【 硅片表面】
第三讲介绍第3章热氧化包括SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
第三讲作业
1、单选题:
通常掩膜氧化采用的工艺方法为:
选项:
A: 掺氯氧化
B: 干氧
C: 干氧-湿氧-干氧
D: 低压氧化
答案: 【 干氧-湿氧-干氧】
2、多选题:
关于氧化速率下面哪种描述是正确的:
选项:
A: 生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律
B: 温度升高氧化速率迅速增加
C: (111)硅比(100)硅氧化得快
D: 有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低
E: 生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
F: 生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律
答案: 【 温度升高氧化速率迅速增加;
(111)硅比(100)硅氧化得快;
生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律】
3、判断题:
制作一硅晶体管芯片,在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、填空题:
热氧化速率快慢排序: 氧化最快、 氧化次之、 氧化最慢。(从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空,中间用“、”隔开)
答案: 【 水汽、湿氧、干氧】
5、填空题:
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质 引起的。(两个字)
答案: 【 分凝】
第四讲介绍第4章扩散包括扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
第四讲作业
1、单选题:
选项:
A: 图(a)是限定源扩散,图(b)恒定源扩散
B: 图(a)、(b)都是限定源扩散
C: 图(a)、(b)都是恒定源扩散
D: 图(a)是恒定源扩散,图(b)限定源扩散
答案: 【 图(a)、(b)都是限定源扩散】
2、单选题:
扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸 ,这是 效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度。
选项:
A: 大,横向扩散
B: 小,横向扩散
C: 大,场助扩散
D: 大,氧化增强
答案: 【 大,横向扩散】
3、多选题:
扩散系数在何时不可以看成是常数:
选项:
A: 在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质;
B: 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;
C: 在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D: 在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。
答案: 【 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质;;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼,同时进行氧化。】
4、判断题:
一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。
选项:
A: 正确
B: 错误
答案: 【&n