MOOC 模拟电子技术(浙江工业大学)1461164174 最新慕课完整章节测试答案
第1章 绪论
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第1章 测验
1、单选题：
已知电压
，则该电压的有效值、频率和初相位各为_________。
选项：
A: 20V，100Hz，-30°
B: 20V，200Hz，-30°
C: 28V，100Hz，-30°
D: 20V，200Hz，30°
答案: 【 20V，100Hz，-30°】
2、单选题：
假设当一个实际信号源（或电源）在没有负载时输出3V，当输出端接上一个10kW的电阻负载时，输出电压下降到1.5 V。则该信号源（或电源）的戴维南等效电路的参数Us和Rs分别为_______。
选项：
A: 3V，10kW
B: 1.5V，10kW
C: 3V，30kW
D: 1.5V，30kW
答案: 【 3V，10kW】
3、单选题：
假设当一个实际信号源（或电源）在没有负载时输出5V，当输出端接上一个1kW的电阻负载时，输出电压下降到1V。则该信号源（或电源）的诺顿等效电路的参数Is和Rs分别为_______。
选项：
A: 1.25mA，4kW
B: 1.25mA，1kW
C: 1mA，1kW
D: 1mA，4kW
答案: 【 1.25mA，4kW】
第2章 半导体二极管及其基本电路
第2章 半导体二极管及其基本电路 测验
1、单选题：
设图中二极管VD的导通电压为0.2V，截止电流为零，则Uab=________。
选项：
A: 15V
B: 5.2V
C: 5V
D: 4.8V
答案: 【 15V】
2、单选题：
设图中二极管VD的导通电压为0.2V，截止电流为零，则Uab=________。
选项：
A: -0.2V
B: 8.2
C: -6V
D: 0.2V
答案: 【 -0.2V】
3、单选题：
若测得图中电阻R1与R2之间的节点电位为1.25V（电位总是对地而言的）。然后测得50kΩ电阻和二极管之间节点电位为0V。则可能的故障情况为_______。
选项：
A: R3开路
B: R1开路
C: R2开路
D: R3短路
答案: 【 R3开路】
4、单选题：
由理想二极管组成的电路如图所示，试确定电路的输出电压
_______。
选项：
A: 3.3V
B: 0V
C: 0.5V
D: 0.8V
答案: 【 3.3V】
5、单选题：
由理想二极管组成的电路如图所示，试确定电路的输出电压uO=_______。
选项：
A: 0V
B: 4.5V
C: 4V
D: 5V
答案: 【 0V 】
6、单选题：
在图示电路中稳压管2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12V，最大稳定电流
，最小稳定电流
。输入电压为30V，求流过稳压管的电流
=________。
选项：
A: 6mA
B: 8mA
C: 12mA
D: 20mA
答案: 【 6mA】
7、单选题：
电路如图所示。已知稳压VDZ1 和VDZ2的稳定电压分别为Uz1 = 3V，Uz2 = 9V，动态电阻影响均可忽略，正向导通压降为0.7V，最大稳定电流
，最小稳定电流
，试求电路A、B两点间的电压UAB=_______。
选项：
A: 6V
B: 8V
C: 3V
D: 9V
答案: 【 6V】
8、单选题：
电路如图所示。已知稳压VDZ1 和VDZ2的稳定电压分别为Uz1 = 3V，Uz2 = 9V，动态电阻影响均可忽略，正向导通压降为0.7V，最大稳定电流IZmax = 50 mA，最小稳定电流IZmin = 6 mA。试求电路A、B两点间的电压UAB=_______。
选项：
A: 3.8V
B: 5.6V
C: 3V
D: 9V
答案: 【 3.8V】
9、单选题：
当稳压二极管电流小于下列_______值时，击穿不会损坏稳压二极管？
选项：
A: 最大稳定工作电流IZmax
B: 最小稳定工作电流IZmin
C: 反向截止电流
D: 最大整流电流
答案: 【 最大稳定工作电流IZmax】
10、单选题：
若测得图中的负载电压是12V，则故障可能是_______。
选项：
A: 二极管短路
B: 二极管开路
C: 二极管极性接反
D: 电源电压极性接反
答案: 【 二极管短路】
11、单选题：
如图所示电路中，设二极管是理想的，则负载电流IL是多少？
选项：
A: 12mA
B: 11.3mA
C: 0
D: 12A
答案: 【 12mA】
12、单选题：
_______类型的半导体中的少子是自由电子？
选项：
A: P型
B: 本征
C: 非本征
D: N型
答案: 【 P型】
第3章 双极型晶体管及放大电路基础
第3章 基本放大电路 单元测验
1、判断题：
如图所示电路中 ，当输入电压为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压vo波形出现底部削平的失真。这种失真是饱和失真。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
如图所示电路中，当输入电压为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压vo波形出现底部削平失真。减小电阻Rb的值可以消除失真。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
随着温度升高，晶体管的电流放大系数b增大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
在多级放大电路中，为了使各级静态工作点互不影响,应选用直接耦合方式。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、判断题：
为了保证晶体管工作在放大区，双极型晶体管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
6、判断题：
双极型晶体管的输入电阻
是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题：
MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
8、判断题：
如图所示电路，在不失真情况下，输出电压vo的相位和输入电压vi的相位呈反相关系。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
9、填空题：
双极型晶体管T1 和T2组成复合管，T1管的电流放大系数
，T2管的电流放大系数
，则该复合管的电流放大系数β =_________。
答案: 【 300】
10、填空题：
在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是20dB 、30dB、40dB，则三级放大电路总增益为________dB。
答案: 【 90】
第3章 晶体管 单元测验
1、单选题：
N沟道和P沟道场效应管的区别在于_______。
选项：
A: 衬底材料前者为硅，后者为锗。
B:
衬底材料前者N型，后者为P型。
C: 导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴。
D:
导电沟道中载流子前者为空穴，后者为自由电子。
答案: 【 导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴。】
2、单选题：
NPN和PNP型三极管的区别取决于_______。
选项：
A: 半导体材料硅和锗的不同
B: 掺杂元素的不同
C: 掺杂浓度的不同
D: P区和N区的位置不同
答案: 【 P区和N区的位置不同】
3、单选题：
已知某三极管的PCM＝800mW，ICM＝500mA,，VBR(CEO)＝30V。若该管子在电路中工作电压VCE ＝10V，则工作电流IC不应超过________ mA。
选项：
A: 500
B: 80
C: 800
D: 50
答案: 【 80】
4、单选题：
已知某三极管的PCM＝800mW，ICM＝500mA,，VBR(CEO)＝30V。若管子的工作电流IC＝10mA，则工作电压VCE不应超过________V。
选项：
A: 80
B: 30
C: 3
D: 8
答案: 【 30】
5、单选题：
实验测得一正常工作的放大电路中某三极管三个极的静态电位分别为1脚电位V1=2.6V，2脚电位V2=3.3V，3脚电位V3=10V，则这三个电极分别为________。
选项：
A: 1—E， 2—B， 3—C
B: 1—B， 2—E ， 3—C
C: 1—B， 2—C， 3—E
D: 1—C， 2—B， 3—E
答案: 【 1—E， 2—B， 3—C】
6、判断题：
随着温度升高，晶体管的穿透电流减小。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
7、判断题：
双极型晶体管（BJT）是电流控制器件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
8、判断题：
由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题：
为了保证晶体管工作在放大区，双极型晶体管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
10、判断题：
只要是硅双极型三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压都为0.7V左右。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
11、判断题：
场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
12、判断题：
双极型三极管的ICEO大约为ICBO的（1+b）倍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第4章 场效应管及其基本放大电路
第4章 场效应管及其基本放大电路 测验
1、单选题：
N沟道和P沟道场效应管的区别在于_______。
选项：
A: 导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴
B: 衬底材料前者为硅，后者为锗
C: 衬底材料前者N型，后者为P型
D: 导电沟道中载流子前者为空穴，后者为自由电子
答案: 【 导电沟道中载流子前者为自由电子，后者为空穴】
2、单选题：
正常放大工作状