MOOC 半导体器件原理(无锡科技职业学院)1002445005 最新慕课完整章节测试答案
第一周--第二周半导体特性
半导体中的电子状态课堂练习
1、单选题：
1、以下关于本征半导体的说法，哪个是不正确的
选项：
A: 本征半导体就是不掺杂的半导体
B: 本征半导体中的载流子是由于本征激发产生的
C: 本征激发产生的载流子多少只和温度有关
D: 本征激发产生的电子和空穴总是一样多
答案: 【 本征激发产生的载流子多少只和温度有关 】
2、判断题：
2、导带和价带间应该是不会被电子占据的
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
3、只有导带才可以有电子填充，从而实现导电
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
半导体特性测验
1、单选题：
半导体接受光照，会使材料导电性能 ，电阻率
选项：
A: 上升，；上升
B: 下降，上升
C: 上升，下降
D: 下降，下降
答案: 【 上升，下降】
2、单选题：
以下说法正确的是
选项：
A: 价带肯定是满带
B: 导带肯定是空带
C: 禁带宽度的单位是长度单位
D: Ev是指价带顶
E: Ec是指导带底
答案: 【 Ev是指价带顶;
Ec是指导带底】
3、单选题：
以下说法正确的是
选项：
A: 迁移率随着杂质浓度的增加而增加
B: 电阻率与杂质浓度成反比
C: 漂移运动是指浓度差作用下的载流子运动
D: 载流子的漂移速度只和温度及杂质浓度有关
答案: 【 电阻率与杂质浓度成反比】
4、单选题：
以下说法不正确的是
选项：
A: 温度越高，扩散越容易
B: 影响漂移和扩散的因素基本类似
C: 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在
D: 同一种载流子在不同材料中的扩散系数是不一样
答案: 【 载流子要么进行扩散运动，要么进行漂移运动，不会同时存在】
5、单选题：
磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是
选项：
A: 是深能级杂质
B: 是间隙杂质
C: 是施主杂质
D: 电离后带负电
答案: 【 是施主杂质】
6、单选题：
关于不存在杂质补偿的N型半导体中的载流子，以下说法正确的是
选项：
A: N型半导体的电子浓度近似等于空穴浓度
B: N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度
C: N型半导体中的电子浓度近似等于受主浓度，
D: N型半导体中的空穴浓度近似等于施主浓度
答案: 【 N型半导体中的电子浓度近似等于施主杂质浓度】
7、多选题：
已知Si中每立方厘米掺有
个硼原子
选项：
A: 这是N-Si
B: 该半导体中NA=
C: 该半导体中电子浓度为
D: 该半导体中费米能级在禁带中心的下方
答案: 【 该半导体中NA=;
该半导体中费米能级在禁带中心的下方】
8、多选题：
关于半导体中的载流子，以下说法不正确的有
选项：
A: 空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
B: 空穴会在电场作用下沿电场方向漂移
C: 电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散
D: 电子会在电场作用下沿电场方向漂移
答案: 【 空穴会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散;
空穴会在电场作用下沿电场方向漂移;
电子会在浓度梯度作用下沿浓度差方向扩散】
9、多选题：
关于半导体的晶体结构，以下说法中正确的是
选项：
A: 硅是金刚石结构
B: 单晶硅中原子排列整齐，各部分性质相同
C: 多晶硅中的原子排列杂乱无序，所以在集成电路制造过程中不使用
D: 晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元
答案: 【 硅是金刚石结构;
晶胞是晶体结构中最小的周期性重复单元】
10、判断题：
判断：热平衡是指当复合等于产生，不再继续进行时所实现的平衡
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
11、判断题：
判断：掺杂浓度越高，费米能级也越高
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
12、判断题：
判断：轻掺杂N型半导体的本征载流子浓度比重掺杂N型半导体的本征载流子浓度低
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
13、判断题：
判断：复合作用越剧烈，少子扩散长度越大
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
14、判断题：
判断：允带和允带之间的能量间隔就是禁带
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、填空题：
已知N-Si中的少子寿命是10us，μn=1300
/V•s，μp=400/V•s,则该材料中少子扩散系数为
答案: 【 10.4】
16、填空题：