MOOC 半导体物理与器件(南京邮电大学)1462492194 最新慕课完整章节测试答案

第一章测验

1、单选题：
‎晶体区别于非晶体的最根本特征是?‏
选项：
A: 熔点
B: 导电能力
C: 周期性
D: 解理性
答案: 【 周期性】

2、单选题：
​下列不属于半导体的是?‎
选项：
A: Si
B: Ge
C: GaAs
D: Fe
答案: 【 Fe】

3、单选题：

‍下列二维点阵中不属于原胞的是？

‎

‍

‎

‍

‎选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 4】

4、单选题：
‌半导体Si属于哪种晶格类型？‎
选项：
A: 简单立方
B: 面心立方
C: 体心立方
D: 六角密堆
答案: 【 面心立方 】

5、单选题：
‍金刚石晶体的晶胞含有几个碳原子？‍
选项：
A: 2
B: 4
C: 6
D: 8
答案: 【 8】

6、单选题：

有一ABC面，截距为4a、2b、，截距的倒数为1/4、1/2、0，它的密勒指数为？

‎

‌

‎选项：
A: (1,2,0)
B: (2,1,0)
C: (4,1,0)
D: (1,4,0)
答案: 【 (1,2,0)】

7、单选题：
​简单立方晶体中最近（110）晶面间的距离为？假设晶格常数为a=4.83Å。​
选项：
A: 2.415 Å
B: 3.42 Å
C: 4.83Å
D: 9.66Å
答案: 【 3.42 Å】

8、填空题：
‎晶格中的最小重复单元是？（填“原胞”或“晶胞”）‏
答案: 【 原胞】

9、填空题：
‎反映晶格周期性的是？（填“原胞”或“晶胞”）‍
答案: 【 原胞】

10、填空题：
‌原子建中最弱的是？（填“共价键”或“范德华键”）‏
答案: 【 范德华键】

本章测验

1、单选题：
​电子的德布罗意波长的数量级大约为？‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
‎波函数的模方表示？‏
选项：
A: 粒子的概率密度分布函数
B: 粒子的动量
C: 粒子的能量
D: 粒子的角动量
答案: 【 粒子的概率密度分布函数】

3、单选题：
‌假设粒子在一维无限深势阱中运动，势阱宽度为a。当粒子处于基态时，在x=0到x=a之间找到粒子概率最大的地方在（）处。‎
选项：
A:  0
B: a/4
C: 2/a
D: a
答案: 【 2/a】

4、判断题：
​可以同时确定一微观粒子的坐标和动量？​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‏对微观粒子，讨论其运动轨道是有意义的。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、填空题：
‌根据德布罗意关系式，波长越短，能量越? (填“高”或“低”)‎
答案: 【 高】

7、填空题：
‏戴维逊-革末实验验证了电子的？（填“波动性”或“粒子性”）‏
答案: 【 波动性】

8、填空题：
‎将波函数乘上一个常数后，所描写的粒子状态是否发生改变？（填“不变”或“改变”）‏
答案: 【 不变】

9、填空题：
薛定谔方程是（）方程？（填“常微分”或“偏微分”）‌‎‌
答案: 【 偏微分】

10、填空题：
‍自由粒子运动的概率密度分布函数与时间有关吗？（填“有”或“无”）‍
答案: 【 无】

第三章 本章测验

1、单选题：
‎准连续分布的能级在考虑了周期场微扰之后，分裂为一系列的能带，能带之间形成（）。‌
选项：
A: 允带
B: 导带
C: 价带
D: 带隙
答案: 【 带隙】

2、单选题：
‌下列属于直接带隙半导体的是（）。‍
选项：
A:  Si  
B: Ge
C: GaAs
D: SiO2
答案: 【 GaAs】

3、单选题：
​三维自由电子的状态密度函数与（）正比。‎
选项：
A:
B: E
C:
D:
答案: 【 】

4、判断题：
允带之间不存在能级，称为禁带。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
有效质量就是粒子的惯性质量。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
状态密度函数描述的是单位能量间隔内量子态的数目。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、填空题：
‌外层的价电子，轨道交叠多，共有化运动（）。（填“弱”或“强”）‍
答案: 【 强】

8、填空题：
‌E对k的二阶导数与粒子的有效质量成（）。（填“正比”或“反比”）‎
答案: 【 反比】

9、填空题：
‎根据泡利不相容原理，一个量子状态只能被（）个电子占据。（填“1”或“2”）‍
答案: 【 1】

10、填空题：
​绝对零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的几率是（）填“0”或者“1”？‍
答案: 【 1】

第四章 本章测验

1、单选题：
‍半导体在热平衡状态下，材料的所有特性均与       无关。‌
选项：
A: 时间
B: 质量
C: 速度
D: 浓度
答案: 【 时间】

2、单选题：
‏       是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。‍
选项：
A: P型半导体
B: n型半导体
C: 本征半导体
D: 平衡半导体
答案: 【 本征半导体】

3、单选题：
‏本征半导体中，导带中的电子数量         价带中的空穴数量。​
选项：
A: 相等
B: 大于
C: 小于
D: 不确定
答案: 【 相等】

4、单选题：
 对于本征费米能级位置的描述，错误的是          。‌‏‌
选项：
A: 电子有效质量等于空穴有效质量，本征费米能级位于禁带中央
B: 电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央
C: 状态密度函数与载流子有效质量直接相关
D: 本征费米能级位置随状态密度的增大而发生移动
答案: 【 电子有效质量小于空穴有效质量，本征费米能级低于禁带中央】

5、单选题：
T = 300 K时，计算硅中的本征费米能级相对于禁带中央的位置。‎‏已知硅中载流子有效质量分别为mn*=1.08m0, mp*=0.56m0. ‎
选项：
A: -12.8meV 
B: -6.4meV
C: -25.6meV
D: 12.8meV
答案: 【 -12.8meV 】

6、单选题：
​非本征半导体中，当电子浓度高于空穴浓度时，半导体是        型，掺入的是      杂质。​
选项：
A: n, 受主
B: n, 施主  
C: p, 受主
D: p, 施主
答案: 【 n, 施主  】

7、单选题：
热平衡状态非本征半导体，电子浓度n0和空穴浓度p0与本征半导体浓度ni的关系（ ）‎‍‎
选项：
A: n0 *p0=ni2
B: n0 *p0>ni2 
C: n0 *p0<ni2
D: 无法确定
答案: 【 n0 *p0=ni2】

8、单选题：
‍补偿半导体的形成描述不正确的是(  )‏
选项：
A: 指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体
B: n型半导体中材料中注入受主杂质原子
C: p型半导体中材料中注入受主杂质原子
D: 补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目
答案: 【 p型半导体中材料中注入受主杂质原子】

9、判断题：
‍T=0