MOOC 模拟电子技术(信息与通信学院)(桂林电子科技大学)1459390161 最新慕课完整章节测试答案
第一章 绪论
第一章 测试题
1、单选题：
已知某正弦电压信号的峰-峰值为10V，频率为1kHz，初始相角为0，则该信号的表达式为（ ）。
选项：
A: 10sin（1000*t）
B: 10sin（2000p*t）
C: 5sin（1000p*t）
D: 5sin（2000p*t）
答案: 【 5sin（2000p*t）】
2、单选题：
模拟信号是指（ ）。
选项：
A: 时间离散、数值连续的信号
B: 时间连续、数值离散的信号
C: 时间连续、数值连续的信号
D: 时间离散、数值离散的信号
答案: 【 时间连续、数值连续的信号】
3、单选题：
某电压放大电路的开路输出输出电压为4V，接入1kW的负载电阻后，输出电压为1V。则该放大电路的输出电阻为（ ）。
选项：
A: 1kW
B: 2kW
C: 3kW
D: 4kW
答案: 【 3kW】
4、单选题：
已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，则该放大电路的输入电阻为（ ）。
选项：
A: 1kW
B: 2kW
C: 4kW
D: 5kW
答案: 【 4kW】
5、单选题：
已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是（ ）。
选项：
A: －1.0V～＋1.0V
B: －0.5V～＋0.5V
C: －0.25V～＋0.25V
D: －0.1V～＋0.1V
答案: 【 －0.1V～＋0.1V】
6、单选题：
由于放大电路带宽所限，导致对不同频率信号幅值的放大倍数不同而产生的失真，称为（ ），这种失真属于（ ）。
选项：
A: 幅度失真，非线性失真
B: 幅度失真，线性失真
C: 频率失真，非线性失真
D: 饱和失真，线性失真
答案: 【 幅度失真，线性失真】
7、单选题：
电路模型如图所示，其代表的是（ ）。
选项：
A: 电压放大电路
B: 电流放大电路
C: 互阻放大电路
D: 互导放大电路
答案: 【 互导放大电路】
8、单选题：
图中所示的电压放大电路模型中，AVO为（ ）。
选项：
A: 负载电阻为RL时电路的电压增益
B: 输出端开路时电路的电压增益
C: 输出端短路时的电流增益
D: 负载电阻为RL时电路的电流增益
答案: 【 输出端开路时电路的电压增益】
9、单选题：
某放大电路的频率特性如图所示，则该电路的中频电压增益等于 （ ）。
选项：
A: 10
B: 100
C: 1000
D: 10000
答案: 【 1000】
10、单选题：
某放大电路的频率特性如图所示，则该电路的下限频率和上限频率分别为 （ ）。
选项：
A: 20Hz；20kHz
B: 20Hz；2kHz
C: 200Hz；20kHz
D: 100Hz；200kHz
答案: 【 20Hz；20kHz 】
11、判断题：
在时域中，信号不失真地放大表现为：任何一点的幅值放大倍数完全相同。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
12、判断题：
只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
13、判断题：
用放大电路放大单一频率正弦波信号时，不可能出现频率失真。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
14、判断题：
放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
15、判断题：
放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第三章 二极管及其基本电路
第三章测试题
1、单选题：
N型半导体中的多子是（ ），P型半导体中的多子是（ ）。
选项：
A: 自由电子，空穴
B: 空穴，自由电子
C: 自由电子，正离子
D: 负离子，空穴
答案: 【 自由电子，空穴 】
2、单选题：
P型半导体中的少数载流子是（ ）。
选项：
A: 正离子
B: 负离子
C: 自由电子
D: 空穴
答案: 【 自由电子】
3、单选题：
N型半导体（ ）。
选项：
A: 带负电
B: 带正电
C: 呈中性
D: 不确定
答案: 【 呈中性】
4、单选题：
半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中（ ）的移动。
选项：
A: 共价键中价电子
B: 正离子
C: 负离子
D: 自由电子
答案: 【 共价键中价电子 】
5、单选题：
杂质半导体中，少子的浓度主要取决于（ ）。
选项：
A: 温度
B: 杂质浓度
C: 杂质类型
D: 晶格缺陷
答案: 【 温度】
6、单选题：
杂质半导体中，多子的浓度主要取决于（ ）。
选项：
A: 温度
B: 杂质浓度
C: 杂质类型
D: 晶格缺陷
答案: 【 杂质浓度】
7、单选题：
在一定的温度下，杂质半导体中杂质浓度越高，少子的浓度（ ）。
选项：
A: 越低
B: 越高
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 越低】
8、单选题：
PN结的内建电场方向是（ ）。
选项：
A: 由P区指向N区
B: 由N区指向P区
C: 外加电压方向
D: 随机的
答案: 【 由N区指向P区】
9、单选题：
点亮发光二极管应加（ ）；变容二极管正常工作时应加（ ）。
选项：
A: 正偏电压；正偏电压
B: 反偏电压；正偏电压
C: 反偏电压；反偏电压
D: 正偏电压；反偏电压
答案: 【 正偏电压；反偏电压】
10、单选题：
PN结中，扩散电流的方向是（ ）。
选项：
A: 从N区指向P区
B: 从P区指向N区
C: 双向流动
D: 随机变化
答案: 【 从P区指向N区】
11、单选题：
PN结正偏是指（ ）。
选项：
A: N区电位高于P区电位
B: N区电位等于P区电位
C: P区电位高于N区电位
D: 与外加电压无关
答案: 【 P区电位高于N区电位】
12、单选题：
PN结反偏时，耗尽层（ ），扩散电流（ ）漂移电流。
选项：
A: 变宽；大于
B: 变宽；小于
C: 变窄；小于
D: 变窄；大于
答案: 【 变宽；小于】
13、单选题：
PN结正偏时，耗尽层（ ），扩散电流（ ）漂移电流。
选项：
A: 变宽；大于
B: 变宽；小于
C: 变窄；小于
D: 变窄；大于
答案: 【 变窄；大于】
14、单选题：
设二极管两端电压为vD，反向饱和电流为IS，则二极管的电流方程是（ ）。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
15、单选题：
当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流IS将增大，是因为此时PN结内部的（ ）。
选项：
A: 少数载流子浓度增加
B: 少数载流子浓度减少
C: 多数载流子浓度增加
D: 多数载流子浓度减少
答案: 【 少数载流子浓度增