MOOC 模拟电子技术(河南理工大学)1450293165 最新慕课完整章节测试答案
第1周 第1章 半导体二极管及其基本电路
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1.1.1随堂测验
1、单选题：
在电子器件中，用的最多的半导体材料是硅，其原子序号为 。
选项：
A: 4
B: 14
C: 24
D: 32
答案: 【 14】
2、单选题：
在室温下，本征半导体中的载流子数目 。
选项：
A: 很多
B: 较多
C: 较少
D: 极少
答案: 【 极少】
3、单选题：
在本征半导体中，本征激发产生的载流子是 。
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 正负离子
D: 自由电子和空穴
答案: 【 自由电子和空穴】
4、单选题：
在热力学零度时，本征半导体相当于 。
选项：
A: 导体
B: 超导体
C: 绝缘体
D: 半导体
答案: 【 绝缘体】
5、单选题：
本征激发体现了半导体的 特性。
选项：
A: 光敏性
B: 热敏性
C: 掺杂性
D: 光敏性和热敏性
答案: 【 光敏性和热敏性】
1.1.2随堂测验
1、单选题：
在 中掺入适量的杂质元素称为杂质半导体。
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I型半导体
D: 半导体
答案: 【 I型半导体】
2、单选题：
杂质半导体体现了半导体的 性。
选项：
A: 光敏
B: 热敏
C: 掺杂
D: 导电
答案: 【 掺杂】
3、单选题：
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与 有关。
选项：
A: 电子
B: 空穴
C: 掺杂浓度
D: 温度
答案: 【 温度】
4、单选题：
P型半导体的多子是空穴，该半导体 。
选项：
A: 带正电
B: 带负电
C: 不带电
D: 无法确定带电情况
答案: 【 不带电】
5、单选题：
在N型半导体内掺入足够的三价元素，可以将其转型为 。
选项：
A: P型半导体
B: N型半导体
C: I型半导体
D: 导体
答案: 【 P型半导体】
1.2.1随堂测验
1、单选题：
漂移电流是 在内电场作用下形成的。
选项：
A: 少数载流子
B: 多数载流子
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 少数载流子】
2、单选题：
关于PN结正偏说法正确的是 。
选项：
A: P端电位高，N端电位低
B: N端电位高，P端电位低
C: P端与N端电位相同
D: P、N两端电位高低不确定
答案: 【 P端电位高，N端电位低】
3、单选题：
当PN结外加反向电压时，耗尽层_____。
选项：
A: 变宽
B: 变窄
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【 变宽】
4、单选题：
PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 无法确定
答案: 【 大于】
5、判断题：
PN结具有双向导电性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
1.2.2随堂测验
1、单选题：
PN结伏安特性方程中的
在常温（
）时的值约为 。
选项：
A: 26V
B: 2.6V
C: 26mV
D: 2.6mV
答案: 【 26mV】
2、单选题：
下列关于PN结伏安特性方程中，正确的是 。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
3、单选题：
PN结伏安特性方程可以描述PN结的 特性。
选项：
A: 正向
B: 反向
C: 正向和反向
D: 击穿
答案: 【 正向和反向】
4、单选题：
参数
表示的是 电压。
选项：
A: 反向
B: 击穿
C: 击穿反向
D: 反向击穿
答案: 【 反向击穿】
5、单选题：
参数
与 有关。
选项：
A: 外加电压
B: 掺杂性质
C: 反向击穿电压
D: 温度
答案: 【 温度】
1.3.1随堂测验
1、单选题：
下列有关面接触型二极管的说法，正确的是 。
选项：
A: PN结面积小，适用于高频情况
B: PN结面积大，适用于高频情况
C: PN结面积小，适用于低频情况
D: PN结面积大，适用于低频情况
答案: 【 PN结面积大，适用于低频情况】
2、多选题：
点接触型二极管主要用于 。
选项：
A: 整流
B: 稳压
C: 检波
D: 开关
答案: 【 检波;
开关】
3、多选题：
由P区引出的电极称为 。
选项：
A: 阳极
B: 阴极
C: 正极
D: 负极
答案: 【 阳极;
正极】
1.3.2随堂测验
1、单选题：
下列有关硅二极管的说法，正确的是 。
选项：
A: 死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V
B: 死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V
C: 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V
D: 死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V
答案: 【 死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V】
2、单选题：
当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分 。
选项：
A: 左移
B: 右移
C: 上移
D: 下移
答案: 【 左移】
3、单选题：
二极管的最大反向工作电压是100V，它的反向击穿电压约为 。
选项：
A: 50V
B: 100V
C: 150V
D: 200V
答案: 【 200V】
4、判断题：
二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相同。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
5、判断题：
当温度升高时，二极管的反向特性曲线将下移。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.4随堂测验
1、单选题：
理想二极管模型相当于 。
选项：
A: 一个理想开关
B: 一个恒压源
C: 一个动态电阻
D: 一条斜线
答案: 【 一个理想开关】
2、单选题：
在常温下测得流过某二极管的电流为10mA，此时二极管的动态电阻为 。
选项：
A: 2.6kΩ
B: 1.3kΩ
C: 2.6Ω
D: 条件不足，无法计算
答案: 【 2.6Ω】
3、单选题：
理想二极管的正向电阻为 。
选项：
A: 零
B: 无穷大
C: 约几十千欧
D: 约几十欧
答案: 【 零】
4、多选题：
用恒压源模型等效硅二极管时，下列参数中正确的是 。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 ;】
5、多选题：
用万用表测量二极管的正反向电阻，通常采用 。
选项：
A: R×1Ω挡
B: R×10Ω挡
C: R×100Ω挡
D: R×1kΩ挡
答案: 【 R×100Ω挡;
R×1kΩ挡】
1.5随堂测验
1、单选题：
稳压管正常工作时应处于 状态。
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 反向击穿】
2、单选题：
用一只稳压二极管与一只普通二极管串联，可得到的稳压值有 种。
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】
3、单选题：
变容二极管主要利用二极管的 。
选项：
A: 单向导电性
B: 频率特性
C: 非线性
D: 结电容随反偏电压大小可变的特性
答案: 【 结电容随反偏电压大小可变的特性】
4、单选题：
发光二极管正常工作时处于 状态。
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 正偏】
5、单选题：
光电二极管正常工作时应处于 状态。
选项：
A: 正偏
B: 反偏
C: 反向击穿
D: 任意
答案: 【 反偏】
第2周 第2章 双极型晶体管及其基本放大电路
2.1.1随堂测验
1、单选题：
晶体管是由 层半导体组成。
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】
2、单选题：
晶体管电路符号中的箭头方向表示 。
选项：
A: 发射结由P指向N
B: 集电结由P指向N
C: 发射结由N指向P
D: 集电结由N指向P
答案: 【 发射结由P指向N】
3、单选题：
在电路中，晶体管有 种接法。
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 3】
2.1.2随堂测验
1、单选题：
下列有关晶体管的说法中，正确的是 。
选项：
A: 发射区的掺杂浓度小于集电区
B: 基区很薄，掺杂浓度较大
C: 基区与集电区的接触面积较大
D: 发射极与集电极可以互换
答案: 【 基区与集电区的接触面积较大】
2、单选题：
NPN型晶体管工作在放大状态，要求 .
选项：
A: 
，
B: 
，
C: 
，
D: 
，
答案: 【 ，
】
3、单选题：
当集电结反偏时，基区和集电区中的少子向对方漂移，形成了 。
选项：
A: 基极电流
B: 集电极电流
C: 发射极电流
D: 反向饱和电流
答案: 【 反向饱和电流】
2.1.3随堂测验
1、单选题：
在共基极接法的电路中，体现了 的控制作用。
选项：
A: 
对
B: 
对
C: 
对
D: 
对
答案: 【 对】
2、单选题：
下列关于穿透电流的表达式正确的是 。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
3、多选题：
在下列各式中， 能够正确反映晶体管的电流分配关系。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 ;
】
2.1.4随堂测验
1、单选题：
共发射极接法的晶体管工作在放大状态下，对直流而言其 。
选项：
A: 输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性
B: 输入和输出都具有近似的恒流特性
C: 输入和输出都具有近似的恒压特性
D: 输入具有近似的恒流特性，而输出具有近似的恒压特性
答案: 【 输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性】
2、单选题：
测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，说明该管是 。
选项：
A: NPN锗管
B: NPN硅管
C: PNP锗管
D: PNP硅管
答案: 【 PNP锗管】
3、单选题：
测得电路中PNP型晶体管e、b、c三个电极的电位分别是2.6V、2V、2.4V，该管的工作状态是 。
选项：
A: 饱和
B: 截止
C: 放大
D: 损坏
答案: 【 饱和】
2.1.5随堂测验
1、单选题：
当晶体管的集电极电流
时，下列说法正确的是 。
选项：
A: 晶体管一定被损坏
B: 晶体管的
C: 晶体管的
一定减小
D: 晶体管的一定增大
答案: 【 晶体管的一定减小】
2、单选题：
的区域称为 。
选项：
A: 过流区
B: 过压区
C: 过损区
D: 击穿区
答案: 【 过损区】
3、单选题：
某晶体管的
，
，
。当 时，可以保证晶体管安全工作。
选项：
A: 
，
B: 
，
C: 
，
D: 
，
答案: 【 ，】
4、单选题：
当温度升高时，晶体管的、
、
的变化情况是 。
选项：
A: 增加、和
减小
B: 和增加、
减小
C: 和
减小、增加
D: 、和
都增加
答案: 【 和增加、减小】
5、单选题：
温度升高 。
选项：
A: 
减小，输入特性曲线右移
B: 
减小，输入特性曲线左移
C: 
增大，输入特性曲线右移
D: 
增大，输入特性曲线左移
答案: 【 减小，输入特性曲线左移】
2.2.1随堂测验
1、单选题：
是衡量放大电路对信号的放大能力。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
2、单选题：
源电压放大倍数与电压放大倍数的关系是 。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
3、单选题：
如果信号源分别是接近于理想的电压源和电流源，那么希望放大电路的输入电阻分别是 。
选项：
A: 大，小
B: 大，大
C: 小，小
D: 小，大
答案: 【 大，小】
4、单选题：
有两个空载放大倍数相同，输入输出电阻不同的放大电路甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下测得甲的输出电压小，这说明甲的 。
选项：
A: 输入电阻大
B: 输入电阻小
C: 输出电阻大
D: 输出电阻小
答案: 【 输入电阻小】
5、单选题：
某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V。这说明放大电路的输出电阻为 。
选项：
A: 10kΩ
B: 2kΩ
C: 1kΩ
D: 0.5kΩ
答案: 【 1kΩ】
2.2.2随堂测验
1、单选题：
在基本共射电路中，基极偏置电阻
的作用是 。
选项：
A: 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路
B: 把基极电流的变化转换为输入电压的变化
C: 保护信号源
D: 防止输出信号被短路
答案: 【 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号被短路】
2、单选题：
在基本共射放大电路中， 可以把放大的电流转换为电压输出。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
3、判断题：
判断如图所示的电路是否正确。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2.3随堂测验
1、单选题：
放大电路直流通路的画法是 。
选项：
A: 电容视为短路，电感视为短路
B: 电容视为短路，电感视为开路
C: 电容视为开路，电感视为短路
D: 电容视为开路，电感视为开路
答案: 【 电容视为开路，电感视为短路】
2、单选题：
放大电路交流通路的画法是 。
选项：
A: 理想直流电源开路，大容量电容开路
B: 理想直流电源开路，大容量电容短路
C: 理想直流电源短路，大容量电容开路
D: 理想直流电源短路，大容量电容短路
答案: 【 理想直流电源短路，大容量电容短路】
3、单选题：
在如图所示的交流通路中，输出电压可表示为 。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
4、单选题：
在下列表述放大电路电流、电压的关系式中，正确的是 。
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
5、判断题：
在晶体管组成的放大电路中，常用解析法估算放大电路的静态工作点。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2.4.1随堂测验
1、单选题：
在共射放大电路的图解分析中，直流负载线 为静态工作点。
选项：
A: 中点处
B: 与
对应的那条输出特性曲线的交点
C: 与输出特性曲线的交点
D: 与中间那条输出特性曲线的交点
答案: 【 与对应的那条输出特性曲线的交点】
2、单选题：
在基本共射放大电路中，改变电源
，直流负载线 。
选项：
A: 斜率增大
B: 斜率减小
C: 位置不变
D: 平行移动
答案: 【 平行移动】
3、单选题：
在基本共射放大电路中如果用万用表测得
，可能是因为 。
选项：
A: 
短路
B: 
开路
C: 
开路
D: 
过大
答案: 【 开路】
4、多选题：
在基本共射放大电路中，下列说法正确的是 。
选项：
A: 静态工作点随的增大沿直流负载线向上移动
B: 静态工作点随的增大沿直流负载线向下移动
C: 静态工作点随的增大沿对应的输出特性曲线向左移动
D: 静态工作点随的增大沿对应的输出特性曲线向右移动
答案: 【 静态工作点随的增大沿直流负载线向下移动;
静态工作点随的增大沿