MOOC 模拟电子技术基础(安康学院)1449982212 最新慕课完整章节测试答案

2.3 半导体二极管随堂测验

1、单选题：
‌PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（         ）。‏
选项：
A: 其反向电流增大
B: 其反向电流减小
C: 其反向电流基本不变
D: 其正向电流相应增大
答案: 【 其反向电流基本不变】

2、单选题：
​二极管加正向电压时，其正向电流是由（       ）。​
选项：
A: 多数载流子扩散形成
B: 多数载流子漂移形成
C: 少数载流子漂移形成
D: 少数载流子扩散形成
答案: 【 多数载流子扩散形成】

3、多选题：
​以下关于半导体二极管说法正确的有（   ）。‌
选项：
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【 半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致】

4、多选题：
‎在电路中使用时，PN结反向应用的特殊二极管有（        ）。‎
选项：
A: 发光二极管
B: 光电二极管
C: 稳压二极管
D: 变容二极管
答案: 【 光电二极管;
稳压二极管;
变容二极管】

5、判断题：
‌因为普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正向接发接到二极管两端，就可以让管子正常导通。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、填空题：
‌温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，主要时因为（  ）浓度受温度影响较大。‎
答案: 【 少子##%_YZPRLFH_%##少数载流子】

7、填空题：
‍二极管的反向饱和电流在20摄氏度时时5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（     ）微安。‌
答案: 【 40】

8、填空题：
‌半导体二极管的基本结构是一个（   ）。 ‏
答案: 【 PN结##%_YZPRLFH_%##PN结】

9、填空题：
​半导体二极管典型特性是（   ）。‌
答案: 【 单向导电##%_YZPRLFH_%##单向导电性】

10、填空题：
‎理想二极管的正向电阻为（  ）。 ‍
答案: 【 0##%_YZPRLFH_%##零】

11、填空题：
‌理想二极管的反向电阻为（   ）。 ​
答案: 【 无穷大】

2.4 二极管基本电路及其分析方法随堂测验

1、多选题：
‏普通二极管可用于（         ）。‎
选项：
A: 整流
B: 限幅
C: 低电压稳压
D: 继电器续流
答案: 【 整流;
限幅;
低电压稳压;
继电器续流】

2、判断题：
​正向导通的二极管交流电阻大于直流电阻。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‎二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2.5 稳压二极管随堂测验

1、单选题：
‎稳压二极管是利用PN结的（      ）。‌
选项：
A: 反向截止特性
B: 单向导电特性
C: 反向击穿特性
D: 电容特性
答案: 【 反向击穿特性】

2、多选题：
‌以下（             ）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。‌
选项：
A: 正向管压降
B: 最大反向工作电流
C: 额定功耗或最大耗散功率
D: 标称稳定电压
答案: 【 最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压】

3、多选题：
‌有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V.若将它们串联相接，稳压值（      ）得不到。‎
选项：
A: 13V、1.4V
B: 4.3V、7.3V
C: 8.7V、5.7V
D: 5.3V、8.7V
答案: 【 4.3V、7.3V;
5.3V、8.7V】

4、多选题：
‌有两只稳压管，稳定电压分别为5V和8V，正向导通管压降为0.7V。若将它们并联相接，可得到（     ）几种稳压值。‌
选项：
A: 5V
B: 0.7V
C: 8V
D: 8.7V
答案: 【 5V;
0.7V】

5、判断题：
‎在正常工作范围内，稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

PN结的形成与特性随堂测验

1、单选题：
‏在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（       ）。​
选项：
A: 使空间电荷区变厚
B: 抑制漂移，促进扩散
C: 使反向饱和电流增大
D: 使反向饱和电流减小
答案: 【 使空间电荷区变厚】

2、多选题：
‎平衡的PN结又称为（          ）。‏
选项：
A: 空间电荷区
B: 势垒区
C: 耗尽层
D: 扩散漂移区
答案: 【 空间电荷区;
势垒区;
耗尽层】

3、多选题：
‎PN结的特性主要有（    ）。‎
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容特性
D: 低电压稳压特性
答案: 【 单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

4、判断题：
温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‍平衡的PN结在无外加电场时，结电流为0。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‍PN结外加正向电压时，空间电荷区将变宽。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

半导体基础知识随堂测验

1、单选题：
​具有纯净的无缺陷的晶体结构的半导体称为（   ）。​
选项：
A: 杂质半导体
B: 空穴型半导体
C: 本征半导体
D: N型半导体
答案: 【 本征半导体】

2、单选题：
​为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（         ）。‏
选项：
A: 提高环境温度
B: 掺入特定杂质元素
C: 加强光照
D: 增加半导体材料横截面积
答案: 【 掺入特定杂质元素】

3、多选题：
‏向本征半导体内掺入三价元素产生的杂质半导体，（          ）。​
选项：
A: 内部多数载流子类型为空穴
B: 因为多子为空穴，整体带正电
C: 整体呈电中性
D: 内部多数载流子类型为自由电子
答案: 【 内部多数载流子类型为空穴;
整体呈电中性】

4、多选题：
​向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（          ）。‌
选项：
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致
答案: 【 内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子与少子的漂移电流方向一致】

5、多选题：
‌在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要和（       ）又很大关系。​
选项：
A: 光照
B: 温度
C: 掺杂类型与浓度
D: 热辐射
答案: 【 光照;
温度;
热辐射】

6、判断题：
‌本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
​由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量自由电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
​本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、填空题：
​外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的（        ）逆电场漂移运动。​
答案: 【 束缚电子##%_YZPRLFH_%##价电子】

10、填空题：
‎在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（          ）。‌
答案: 【 掺杂浓度##%_YZPRLFH_%##掺杂度##%_YZPRLFH_%##掺入杂质的数量】

第2章_半导体基础知识及二极管_单元测验

1、单选题：
‏为了在较大范围内改善半导体材料的导电能力，可以（         ）。‍
选项：
A: 提高环境温度
B: 掺入特定杂质元素
C: 加强光照
D: 增加半导体材料横截面积
E: 加强外电场
F: 以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素
答案: 【 掺入特定杂质元素;
以特殊工艺向本征半导体内掺入微量三价或五价元素】

2、单选题：
‌在平衡的PN结两端外加反偏电压，会（       ）。‌
选项：
A: 使空间电荷区变厚
B: 抑制漂移，促进扩散
C: 使反向饱和电流增大
D: 使反向饱和电流减小
E: 使势垒变高
F: 只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变
G: 抑制扩散，促进漂移
答案: 【 使空间电荷区变厚;
使势垒变高;
只要不被击穿，反向电流会随着反向电压的增大达到饱和值而基本维持不变;
抑制扩散，促进漂移】

3、单选题：
‏二极管两端外加正偏电压时，其正向电流是由（       ）。‍
选项：
A: 多数载流子扩散形成
B: 多数载流子漂移形成
C: 少数载流子漂移形成
D: 少数载流子扩散形成
答案: 【 多数载流子扩散形成】

4、单选题：
‏二极管整流电路利用的是二极管的（      ）特性。‏
选项：
A: 反向击穿特性
B: 电容效应
C: 单向导电性
D: 本征激发特性
E: 掺杂特性
F: 正向导通、反向截止的特性
G: 正向导通、反向击穿的特性
H: 开关特性
答案: 【 单向导电性;
正向导通、反向截止的特性;
开关特性】

5、单选题：
‎二极管的反向饱和电流在20摄氏度时是5微安，温度每升高10摄氏度，其反向饱和电流增大一倍，当温度为50摄氏度时，反向饱和电流值为（     ）微安。‎
选项：
A: 20
B: 30
C: 40
D: 50
答案: 【 40】

6、单选题：
‍本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是（     ）‏
选项：
A: 小于
B: 等于
C: 大于
D: 无关
答案: 【 等于】

7、单选题：
‌N型半导体的多数载流子是（   ），P型半导体的多数载流子（   ）‏
选项：
A: 空穴，空穴
B: 空穴，电子
C: 电子，空穴
D: 电子，电子
答案: 【 电子，空穴】

8、单选题：
‎N型半导体的多数载流子是（   ），少数载流子（   ）‌
选项：
A: 空穴，空穴
B: 空穴，电子
C: 电子，空穴
D: 电子，电子
答案: 【 电子，空穴】

9、单选题：
​P型半导体的多数载流子是（   ），少数载流子（   ）‍
选项：
A: 空穴，空穴
B: 空穴，电子
C: 电子，空穴
D: 电子，电子
答案: 【 空穴，电子】

10、多选题：
‏向本征半导体内掺入五价元素产生的杂质半导体，（          ）。‎
选项：
A: 内部多数载流子类型为自由电子
B: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反
C: 内部多数载流子类型为空穴
D: 外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向一致
E: 在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子
F: 在产生多子空穴的同时，生成带负电的受主离子
答案: 【 内部多数载流子类型为自由电子;
外加电场作用下，多子扩散电流与少子的漂移电流方向相反;
在产生多子自由电子的同时，生成带正电的施主离子】

11、多选题：
‌PN结的特性主要有（    ）。​
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿特性
C: 电容特性
D: 低电压稳压特性
E: 本征激发特性
F: 掺杂特性
答案: 【 单向导电性;
反向击穿特性;
电容特性;
低电压稳压特性】

12、多选题：
‎以下关于半导体二极管说法正确的有（   ）。‏
选项：
A: 半导体二极管正偏时，势垒区变窄
B: 半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致
C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V
E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
答案: 【 半导体二极管正偏时，势垒区变窄;
半导体二极管正偏时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致;
常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V;
常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V】

13、多选题：
‎以下（             ）是在选用和使用稳压二极管时需要重点考虑的参数。​
选项：
A: 正向管压降
B: 最大反向工作电流
C: 额定功耗或最大耗散功率
D: 标称稳定电压
E: 最小反向工作电流
F: 反向击穿时的动态电阻
G: 正向开启电压
答案: 【 最大反向工作电流;
额定功耗或最大耗散功率;
标称稳定电压;
最小反向工作电流;
反向击穿时的动态电阻】

14、多选题：
‏平衡的PN结又称（    ）。​
选项：
A: 阻挡层
B: 耗尽层
C: 空间电荷区
D: 二极管
E: 势垒
F: 导电沟道
答案: 【 阻挡层;
耗尽层;
空间电荷区;
势垒】

15、判断题：
‏本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现，而复合又使得自由电子与空穴成对消失，所以整体而言，本征半导体内部无可以参与导电的载流子。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

16、判断题：
‏根据普通硅二极管的伏安特性，将1.5V的干电池以正偏接法接到二极管两端，就可以让管子正常工作。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

17、判断题：
​二极管的理想模型只有对开关电路等进行定性分析的时候才适用。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

18、判断题：
​稳压二极管的反向电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。​​​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

19、判断题：
外电场作用下，半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的束缚电子的逆电场漂移运动。‍‍‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

20、判断题：
‍对二极管电路的静态分析与动态分析遵循先“静”后“动”原则。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

MOSFET随堂测验

1、多选题：
‌与BJT相比，场效应管（         ）。​
选项：
A: 输入电阻大
B: 噪声低
C: 温度稳定性好
D: 放大能力更好
答案: 【 输入电阻大;
噪声低;
温度稳定性好】

2、判断题：
‍场效应管与BJT均属于电压控制型器件，其中场效应管是单极型器件，BJT是双极型器件。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
​跨导反映了场效应管的栅源电压对漏极电流的控制能力，其单位为mS（毫西门子）。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‍P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‎对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‏场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4.1 BJT及其特性单元测验

1、单选题：
​BJT的三个区，（       ）的掺杂浓度最低‌
选项：
A: 发射区
B: 基区
C: 集电区
D: 三者一样
答案: 【 基区】

2、单选题：
‎发射区与（    ）区是同种类型的半导体。‌
选项：
A: 基区
B: 集电区
C: 三个区都一样
D: 发射区的类型和其他区都不一样
答案: 【 集电区】

3、单选题：
‍三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（     ）极的电流实际方向相同。‌
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 三个电流方向都相同
D: 发射极电流与其他电流方向都不同
答案: 【 发射极电流与其他电流方向都不同】

4、单选题：
‎三个引脚电流中有效值最大的是（     ）‌
选项：
A: 基极电流
B: 集电极电流
C: 发射极电流
D: 三个电流一样大
答案: 【 发射极电流】

5、单选题：
‍BJT正常放大时，发射结一定是（      ）‍
选项：
A: 反偏
B: 正偏
C: NPN正偏，PNP反偏
D: PNP正偏，NPN反偏
答案: 【 正偏】

6、多选题：
‎正常工作的BJT，输出特性曲线分三个区域，它们是（     ）。‌
选项：
A: 饱和区
B: 放大区
C: 截止区
D: 击穿区
答案: 【 饱和区;
放大区;
截止区】

7、多选题：
‌BJT正常放大时，其两个PN结（      ）‎
选项：
A: 发射结反偏
B: 发射结正偏
C: 集电结反偏
D: 集电结正偏
答案: 【 发射结正偏;
集电结反偏】

8、多选题：
‎下列说法中，错误的有（     ）‎
选项：
A: 发射区的掺杂浓度最高
B: 集电区的掺杂浓度最高
C: 发射区的体积最大
D: 集电区的类型与其他区不同
答案: 【 集电区的掺杂浓度最高;
发射区的体积最大;
集电区的类型与其他区不同】

4.10&11 多级放大电路

1、单选题：
‌（        ）适用于集成电路。‏
选项：
A: 直接耦合方式
B: 阻容耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 光电耦合方式
答案: 【 直接耦合方式】

2、单选题：
‎在传递信号的同时还能进行阻抗变换的是​
选项：
A: 直接耦合方式
B: 阻容耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 光电耦合方式
答案: 【 变压器耦合方式】

3、多选题：
‍下列耦合方式中，（         ）的各级静态工作点相对独立‏
选项：
A: 直接耦合方式
B: 阻容耦合方式
C: 变压器耦合方式
D: 三者都是
答案: 【 阻容耦合方式;
变压器耦合方式】

4、判断题：
‍第5级的输入电阻相当于第6级的负载。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‏第4级的输出电阻相当于第5级的信号源内阻。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、填空题：
‏在多级放大电路中，由于各级是互相串联起来的，多级放大电路的总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的（    ）‎
答案: 【 乘积##%_YZPRLFH_%##相乘】

4.2 在线测量法单元测验

1、单选题：
‎‏在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则1脚是（     ）‎‎
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 爱谁谁
答案: 【 集电极】

2、单选题：
‏在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则2脚是（     ）‎
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 管它呢
答案: 【 基极】

3、单选题：
‏在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，则3脚是（     ）‌
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无所谓
答案: 【 发射极】

4、单选题：
‎在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的材料是（     ）‍
选项：
A: 硅
B: 锗
C: PNP
D: NPN
答案: 【 锗】

5、单选题：
​在线测得BJT的三个引脚电位分别为：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，该管的类型是（     ）‎
选项：
A: 硅
B: 锗
C: PNP
D: NPN
答案: 【 NPN】

6、单选题：
‏​在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则1脚是（     ）‏‏
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 爱谁谁
答案: 【 集电极】

7、单选题：
‍在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则2脚是（     ）‌
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 管它呢
答案: 【 发射极】

8、单选题：
​在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；则3脚是（     ）‌
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无所谓
答案: 【 基极】

9、单选题：
‎在线测得BJT的三个引脚电流分别为（令参考方向为流入BJT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；该管子的β约为（     ）‎
选项：
A: 300
B: 150
C: 100
D: 50
答案: 【 150】

10、单选题：
‏在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为3 V，3.3 V，9 V，则这只三极管是（   ）‎
选项：
A: NPN型硅管
B: NPN型锗管
C: PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: 【 NPN型锗管】

11、单选题：
‌在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为-6 V，-6.7 V，-11 V，则这只三极管是（       ）‎
选项：
A: NPN型硅管
B: NPN型锗管
C: .PNP型硅管
D: PNP型锗管
答案: 【 .PNP型硅管】

4.3 基本共发射极放大电路单元测验

1、单选题：
‎共射组态的放大电路结构特点是：‎
选项：
A: 基极输入，发射极输出
B: 基极输入，集电极输出
C: 发射极输入，集电极输出
D: 发射极输入，基极输出
答案: 【 基极输入，集电极输出】

2、单选题：
‎实验测得基本共射极放大电路的ICQ较大，需减小到某值，应如何调整电路？​
选项：
A: 减小Rb
B: 增大Rb
C: 减小Rc
D: 增大Rc
答案: 【 增大Rb】

3、单选题：
‎实验测得基本共射极放大电路的IBQ较大，需减小到某值，应调整：‍
选项：
A: 减小Rb
B: 增大Rb
C: 减小Rc
D: 增大Rc
答案: 【 增大Rb】

4、多选题：
‏基本共射电路中，换一个BJT，使得其β增大（电路中其它元件参数不变），则‎
选项：
A: IBQ不变
B: ICQ减小
C: ICQ增大
D: VCEQ减小
答案: 【 IBQ不变;
ICQ增大;
VCEQ减小】

5、多选题：
‏对阻容耦合的放大电路，下列说法中正确的有：‌
选项：
A: 改变负载的大小，不会改变静态工作点
B: 作直流通路时，Vcc应改为地
C: 作直流通路时，Vcc保持不变
D: 作交流通路时，Vcc应改为地
答案: 【 改变负载的大小，不会改变静态工作点;
作直流通路时，Vcc保持不变;
作交流通路时，Vcc应改为地