MOOC 微电子制造技术(哈尔滨工业大学（威海）)1450330450 最新慕课完整章节测试答案

第二讲 作业

1、单选题：
‎在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?‍
选项：
A: （100）
B: （111）
C: （110)
D: (211)
答案: 【 （111）】

2、单选题：
​磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：​
选项：
A: 轴向均匀
B: 轴向递减
C: 轴向递増
D: 径向递减
答案: 【 轴向递减】

3、多选题：
‏关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确​
选项：
A: 可以多次缩颈
B: 为了能拉出与籽晶相同的硅锭
C: 为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸
D: 为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸
答案: 【 可以多次缩颈;
为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸;
为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸】

4、判断题：
‌在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、填空题：
‌拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的  造成。‌
答案: 【 O##%_YZPRLFH_%##氧】

第三讲 作业

1、单选题：

‍

‍选项：
A: 图（a）是限定源扩散，图（b）恒定源扩散
B: 图（a）、（b）都是限定源扩散
C: 图（a）、（b）都是恒定源扩散
D: 图（a）是恒定源扩散，图（b）限定源扩散
答案: 【 图（a）、（b）都是限定源扩散】

2、单选题：
扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸  ，这是        效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。‏‌‏
选项：
A: 大，横向扩散
B: 小，横向扩散
C: 大，场助扩散
D: 大，氧化增强
答案: 【 大，横向扩散】

3、多选题：
‏扩散系数在何时不可以看成是常数：‍
选项：
A: 在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质；
B: 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；
C: 在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼。
D: 在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。
答案: 【 在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；;
在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。】

4、判断题：
‎一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、填空题：
‌在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩   分钟。（只保留整数）‍
答案: 【 104】

第四讲 作业

1、单选题：
‏在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是        。当偏离晶向   ψc注入时，可以避免。‌
选项：
A: 沟道效应，<
B: 沟道效应，>
C: 横向效应，<
D: 横向效应，>
答案: 【 沟道效应，>】

2、单选题：
​形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？‎
选项：
A: 不可以
B: 可以，实际注硼：QB+QSb
C: 可以，实际注硼：QB-QSb
D: 可以，实际注硼：QB
答案: 【 可以，实际注硼：QB+QSb】

3、多选题：

​基于LSS理论，判断对下图分析的对错：

‏

​