MOOC 半导体物理与器件(哈尔滨理工大学)1452733192 最新慕课完整章节测试答案

W1-测试

1、单选题：
Ge晶体的导带底有（）个。‎
选项：
A: 2
B: 4
C: 6
D: 8
答案: 【 8】

2、单选题：
Si晶体的第一布里渊区是个（）体。​
选项：
A: 立方体
B: 正菱形12面体
C: 截角8面体（十四面体）
D: 球体
答案: 【 截角8面体（十四面体）】

3、单选题：

‍

‍

哪支能带的极值对应的电子有效质量最大？

‍

‍

‍选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 无法判断
答案: 【 3】

4、单选题：
空穴是一种假设出来的粒子。其有效质量为（），电荷为（）。‌‌‌
选项：
A: 正，负
B: 正，正
C: 负，正
D: 负，负
答案: 【 正，正】

5、单选题：
Si晶体的导带底等能面是个旋转椭球面。其中，其横向有效质量（）纵向有效质量。‍‌‍
选项：
A: =
B: >
C: <
D: 无法确定大小关系
答案: 【 <】

6、单选题：
T=0K时，导体的导带为（），半导体的导带为（）。‌‏‌
选项：
A: 半满带，满带
B: 半满带，空带
C: 满带，空带
D: 空带，半满带
答案: 【 半满带，空带】

7、单选题：
Ga替位掺入Ge中，其将成为（）。‍‌‍
选项：
A: 施主
B: