MOOC 电力电子技术(北京信息科技大学)1450326442 最新慕课完整章节测试答案
第二课时 2可关断晶闸管
门级可关断晶闸管测验
1、单选题：
门极可关断晶闸管GTO半导体结构式为：
选项：
A: 门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层半导体结构。
B: 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
C: 门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
D: 以上都不对
答案: 【 门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。】
2、单选题：
GTO能够通过门极关断吗？
选项：
A: GTO能够通过门极关断。
B: 只要门极关断功率足够大，GTO和SCR都能够通过门极关断。
C: GTO不能够通过门极关断。
D: 以上都不对
答案: 【 GTO能够通过门极关断。】
3、填空题：
按照可控程度分，GTO属于 型器件（半控、全控、不控）
答案: 【 全控】
4、填空题：
按照驱动信号的性质分，GTO属于 驱动型器件（电压、电流）
答案: 【 电流】
第二课时 1晶闸管
晶闸管相关测验
1、单选题：
维持导通所需的最小阳极电流，称为（ ）
选项：
A: 维持电流
B: 擎住电流
C: 浪涌电流
D: 额定电流
答案: 【 维持电流】
2、单选题：
普通晶闸管的额定电流是以（ ）定义的。
选项：
A: 平均值
B: 有效值
C: 最大值
D: 瞬时值
答案: 【 平均值】
3、判断题：
当晶闸管阳极和阴极间接反向电压时，晶闸管一定处于关断状态
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、填空题：
按照可控程度分，普通晶闸管是 型器件（半控、全控、不可控）
答案: 【 半控】
5、填空题：
在确定晶闸管的额定电流时，要依据 的原则
答案: 【 有效值相等】
6、填空题：
按照控制信号的性质，晶闸管属于 控制性器件（电压、电流）
答案: 【 电流】
第三课时
GTR测验
1、单选题：
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
选项：
A: 虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B: GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C: GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
D: 其他
答案: 【 GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。】
2、填空题：
GTR是个 型器件（半控、全控、不控）
答案: 【 全控】
3、填空题：
GTR是个 型器件（电压控制、电流控制）
答案: 【 电流控制】
IGBT练习
1、单选题：
关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
选项：
A: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR慢。
B: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比电力MOSFET快。
C: 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR快。
D: 其他
答案: 【 绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件，其开关速度比GTR快。】
2、单选题：
关于绝缘栅双极晶体管安全工作区，表述正确的是：
选项：
A: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区与GTR一样。
B: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。
C: 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR窄。
D: 其他
答案: 【 相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR宽。】
3、填空题：
IGBT是 型器件（半控，全控，不可控）
答案: 【 全控】
4、填空题：
IGBT是 型器件（电压驱动，电流驱动）
答案: 【 电压驱动】
5、填空题：
IGBT是 和 复合而成的器件
答案: 【 MOSFET GTR（BJT）】
MOSFET练习
1、单选题：
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是：
选项：
A: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。
B: MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。
C: MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。
D: 其他
答案: 【 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。】
2、单选题：
关于MOSFET的开关速度，表述正确的是：
选项：
A: MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。
B: MOSFET是场控器件，静态时几乎不需输入电流，开通关断过程时间长。
C: MOSFET是场控器件，静态时需输入大电流，开通关断过程时间长。
D: 其他
答案: 【 MOSFET不存在少子储存效应，开通关断过程非常迅速。】
3、判断题：
MOSFET栅