MOOC 模拟电子电路B（重修）(东南大学成贤学院)1450320438 最新慕课完整章节测试答案
第1章 半导体二极管及其基本应用（第1周，6课时）
文章目录
1.1.1随堂测验
1、单选题：
本征半导体中，若掺入的是 价元素，则形成N型半导体。
选项：
A: 3
B: 4
C: 5
D: 6
答案: 【 5】
2、判断题：
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.1.2随堂测验
1、单选题：
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。
选项：
A: 温度
B: 掺入杂质元素的多少
C: 掺杂工艺
D: 晶格缺陷
答案: 【 掺入杂质元素的多少】
2、判断题：
在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成N型半导体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.1.3随堂测验
1、单选题：
硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而 。
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 基本不变
D: 击穿
答案: 【 基本不变】
2、判断题：
PN结是由于漂移运动所形成的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.2.1随堂测验
1、单选题：
对于面接触型的二极管，下列说法正确的是 。
选项：
A: 可以承受较大电流，适合低频使用。
B: 可以承受较大电流，适合高频使用。
C: 可以承受较小电流，适合低频使用。
D: 可以承受较小电流，适合高频使用。
答案: 【 可以承受较大电流，适合低频使用。】
2、判断题：
点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
当二极管用于大电流工作时，要求PN结的结面积大。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.2.2随堂测验
1、单选题：
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。
选项：
A: 减小
B: 不变
C: 增大
D: 不能判断
答案: 【 增大】
2、单选题：
当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是 。
选项：
A: 正向特性曲线左移，反向特性曲线上移。
B: 正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。
C: 正向特性曲线右移，反向特性曲线上移。
D: 正向特性曲线右移，反向特性曲线下移。
答案: 【 正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。】
3、判断题：
锗管反向电流比硅管反向电流小得多。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
1.2.3随堂测验
1、单选题：
二极管的最高反向工作电压，通常规定为 。
选项：
A: 击穿电压
B: 击穿电压的一半
C: 击穿电压的二倍
D: 死区电压
答案: 【 击穿电压的一半】
2、判断题：
当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
1.3.1随堂测验
1、单选题：
二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的 。
选项：
A: 直流电阻
B: 交流电阻
C: 导通电阻
D: 正向电阻
答案: 【 导通电阻】
2、判断题：
二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.3.2随堂测验
1、单选题：
当二极管回路电源电压较低时，采用 模型比较合理。
选项：
A: 恒压降
B: 理想
C: 恒流源
D: 小信号
答案: 【 恒压降】
2、判断题：
二极管的直流电阻、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、判断题：
对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.4.1随堂测验
1、判断题：
只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2、判断题：
利用二极管的正向特性也可以实现稳压。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
正常情况下，稳压二极管工作在反向击穿区。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.4.2随堂测验
1、单选题：
光电二极管工作时需要加 偏置电压，工作于 状态。
选项：
A: 正向；导通
B: 正向；截止
C: 反向；导通
D: 反向；截止
答案: 【 反向；截止】
2、单选题：
发光二极管 导通时发光，工作电流的典型值为 。
选项：
A: 正偏；20mA
B: 正偏；10mA
C: 反偏；20mA
D: 反偏；10mA
答案: 【 正偏；10mA】
3、判断题：
光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
1.4.3随堂测验
1、单选题：
肖特基二极管的导通电压 ，大约为 。
选项：
A: 较高；0.7V
B: 较高；0.4V
C: 较低；0.7V
D: 较低；0.4V
答案: 【 较低；0.4V】
2、单选题：
变容二极管在电路中的主要作用是 。
选项：
A: 稳压
B: 整流
C: 可变电容器
D: 发光
答案: 【 可变电容器】
3、判断题：
发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
第2章 半导体三极管及其基本应用（第2-3周，10课时）
2.1.1随堂测验
1、单选题：
晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
选项：
A: 高；低
B: 高；高
C: 低；低
D: 低；高
答案: 【 高；低】
2、单选题：
在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是 的，PNP管的发射电流方向是 的。
选项：
A: 流入；流出
B: 流入；流入
C: 流出；流出
D: 流出；流入
答案: 【 流出；流入】
3、判断题：
晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2.1.2随堂测验
1、单选题：
晶体管具有电流大作用的外部条件是，发射结 ，集电结 。
选项：
A: 正偏；反偏
B: 正偏；正偏
C: 反偏；反偏
D: 反偏；正偏
答案: 【 正偏；反偏】
2、单选题：
晶体管截止的条件是，发射结 ，集电结 。
选项：
A: 正偏；正偏
B: 正偏；反偏
C: 0偏或反偏；正偏
D: 零偏或反偏；反偏
答案: 【 零偏或反偏；反偏】
3、判断题：
晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2.1.3随堂测验
1、单选题：
对于硅三极管，死区电压约为 ，对于锗三极管，死区电压约为 。
选项：
A: 0.1V；0.5V
B: 0.5V；0.1V
C: 0.7V；0.5V
D: 0.5V；0.2V
答案: 【 0.5V；0.1V】
2、单选题：
硅三极管的导通电压通常取为 。
选项：
A: 0.7V
B: 0.5V
C: 0.2V
D: 0.1V
答案: 【 0.7V】
3、单选题：
温度升高时，晶体管的导通电压 ，电流放大系数 。
选项：
A: 增大；减小
B: 增大；增大
C: 减小；减小
D: 减小；增大
答案: 【 减小；增大】
2.1.4随堂测验
1、单选题：
穿透电流随温度的上升而 ，这时晶体管的温度稳定性 。
选项：
A: 增加；变好
B: 增加；变差
C: 减小；变差
D: 减小；变好
答案: 【 增加；变差】
2、判断题：
集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2.2.1随堂测验
1、单选题：
晶体管直流电路的分析方法主要有 。
选项：
A: 工程近似分析法
B: 图解分析法
C: 仿真分析法
D: 工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法
答案: 【 工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法】
2、判断题：
在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用0.2V表示。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
晶体管输出端外电路的伏安特性方程，也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
4、判断题：
晶体管的静态工作点Q非常重要，只有当Q点处于放大区时，管子才具有放大能力。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2.2.2随堂测验
1、单选题：
晶体管发射结正偏导通时，工作状态有 和 两种可能。
选项：
A: 放大；截止
B: 放大；饱和
C: 截止；饱和
D: 放大；击穿
答案: 【 放大；饱和】
2、单选题：
NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于 。
选项：
A: 0.5V
B: 0.7V
C: 0.2V
D: 0.3V
答案: 【 0.3V】
3、判断题：
晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2.2.3随堂测验
1、单选题：
当输入为 时，可利用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。
选项：
A: 正弦小信号
B: 低频大信号
C: 低频小信号
D: 高频小信号
答案: 【 低频小信号】
2、判断题：
图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
3、判断题：
在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2.3.1随堂测验
1、单选题：
当栅源电压为0时， 管不可能工作在恒流区。
选项：
A: JFET
B: EMOS
C: DMOS
D: NMOS
答案: 【 EMOS】
2、单选题：
场效应管从结构上可分为两大类，即 和 。
选项：
A: MOS场效应管；结型场效应管
B: MOS场效应管；耗尽型场效应管
C: 增强型MOS场效应管；耗尽型场效应管
D: 耗尽型MOS场效应管；结型场效应管
答案: 【 MOS场效应管；结型场效应管】
3、判断题：
EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
2.3.2随堂测验
1、单选题：
对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为 场效应管和 场效应管。
选项：
A: MOS；结型
B: 增强型；结型
C: 增加型；耗尽型
D: 耗尽型；结型
答案: 【 增加型；耗尽型】
2、判断题：
饱和漏极电流是增强型管的参数。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2.3.3随堂测验
1、判断题：
低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2、判断题：
跨导是一个与工作点无关的物理量。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作温度的限制。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
2.3.4随堂测验
1、单选题：
JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结 ，目的是使得输入电阻 。
选项：
A: 正偏；很大
B: 正偏；很小
C: 反偏；很大
D: 反偏；很小
答案: 【 反偏；很大】
2、判断题：
静态工作点的分析可以采用小信号模型。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
3、判断题：
场效应管电路的分析方法与晶体管电路的分析方法相类似，也是先静态分析，后动态分析。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】