MOOC 材料物理性能(哈尔滨工业大学)1464026173 最新慕课完整章节测试答案

单元测验-1.1节

1、单选题：
‏下列说法正确的是（    ）。​
选项：
A: 宏观物质也具有波动性。
B: 微观粒子只具有波动性。
C: 只有微观粒子具有波粒二象性。
D: 宏观物体只具有粒子性。
答案: 【 宏观物质也具有波动性。】

2、单选题：
‌关于通过狭缝的电子衍射实验，下列说法错误的是（    ）：‍
选项：
A: 狭缝间距离越小，感光板上衍射主峰的范围越大。
B: 狭缝电子衍射实验是微观粒子波粒二象性的体现。
C: 坐标与动量不能同时具有确定值。
D: 电子通过狭缝的偏离程度与狭缝间距无关。
答案: 【 电子通过狭缝的偏离程度与狭缝间距无关。】

3、单选题：
‏德布罗意波也称（    ）。​
选项：
A: 平面波
B: 物质波
C: 机械波
D: 电子波
答案: 【 物质波】

4、单选题：
‌下列说法错误的是（    ）。‍
选项：
A: 自由粒子的状态满足定态的要求。
B: 定态是一种力学性质稳定的状态。
C: 定态下空间各处单位体积中找到粒子的概率不随时间变化。
D: 定态下的概率密度是常数。
答案: 【 定态下的概率密度是常数。】

5、单选题：
关于能级的简并，下列说法错误的是（    ）。‏
选项：
A: 能级的简并与系统对称性有关
B: 能级的简并是不同量子数对应同一能级的现象
C: 若系统对称性遭到破坏，能级的简并不会消失
D: 若g个不同的状态对应同一能级，则为g重简并
答案: 【 若系统对称性遭到破坏，能级的简并不会消失】

6、判断题：
‎薛定谔方程的解就是波函数。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍薛定谔方程与牛顿运动方程的地位相仿。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‎微观粒子的运动不能用经典力学理论来处理。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
​海森堡测不准原理只适用于微观粒子。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、判断题：
‏定态下，薛定谔方程可分离位置与时间的分量。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

单元测验-1.2节

1、单选题：
下列哪个说法与索末菲假设无关（    ）：‌
选项：
A: 价电子之间没有相互作用。
B: 把原子核和内层电子看成离子实。
C: 把晶体势场用一个处处相等的恒定势场来代替。
D: 电子只能在金属内部运动，不能逸出金属外。
答案: 【 把原子核和内层电子看成离子实。】

2、单选题：
下列关于玻恩‒卡曼周期性边界条件的说法错误的是（    ）。‏
选项：
A: 相当于有N个相同的晶体收尾相接
B: 确保自由电子不逸出晶体表面
C: 能够决定波函数通解中的所有系数
D: 符合索末菲假设对边界条件的要求
答案: 【 能够决定波函数通解中的所有系数】

3、单选题：
自由电子的能级是（    ）分布的。‎
选项：
A: 连续
B: 无规则
C: 不间断
D: 准连续
答案: 【 准连续】

4、单选题：
有关费米分布函数，下面说法错误的是（    ）。‎
选项：
A: 0 K下，高于费米能的能级上没有自由电子存在。
B: 0 K下，自由电子只能出现在低于费米能的能级上。
C: 只有费米能附近的少量自由电子能够具有大于费米能的能量。
D: 温度越高，费米能以下的能级上自由电子越多。
答案: 【 温度越高，费米能以下的能级上自由电子越多。】

5、单选题：
0 K时，自由电子系统内每个电子的平均能量是费米能的（    ）。‏
选项：
A: 1/5
B: 2/5
C: 3/5
D: 4/5
答案: 【 3/5】

6、判断题：
‍量子自由电子理论中，自由电子所处的晶体场被视为恒定势场。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
‍自由电子填充的最高能级就是费米能。（    ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
​由玻恩‒卡曼周期性边界条件，每个晶体内相对应的位置上的自由电子运动状态都相同。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‎温度越高，费米能越大。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、判断题：
​费米分布函数反映的是一种量子态被电子占据的概率。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

单元测验-1.3节

1、单选题：
下列有关布洛赫定理的描述，错误的是（    ）。‎
选项：
A: 在周期性势场中运动电子的波函数满足布洛赫定理。
B: 布洛赫波的振幅也呈周期性。
C: 晶体中的电子是一个具有周期性调制振幅的平面波。
D: 经布洛赫定理处理后的薛定谔方程可解。
答案: 【 经布洛赫定理处理后的薛定谔方程可解。】

2、单选题：
由N个原胞构成的一维晶体，下列有关一维布里渊区说法正确的是（    ）。‎‌‎
选项：
A: 一维k空间中，每个布里渊区的线度都相等。
B: 每个布里渊区的能级数与N无关。
C: 每个布里渊区内含有的状态数与N无关。
D: 每个布里渊区的宽度为π/a。
答案: 【 一维k空间中，每个布里渊区的线度都相等。】

3、单选题：
下列有关晶体能带理论应用，说法正确的是（    ）。‌‌
选项：
A: 满带可以导电。
B: 金属的导电性主要源于导带导电。
C: 半导体的价带不是满带。
D: 绝缘体的非导电性与禁带无关。
答案: 【 金属的导电性主要源于导带导电。】

4、单选题：
晶体中的电子称为（    ）。​​
选项：
A: 束缚态电子
B: 准自由电子
C: 自由电子
D: 共有化电子
答案: 【 准自由电子】

5、单选题：
下列对近自由电子近似描述正确的是（    ）。​​‍​
选项：
A: 近自由电子近似将自由电子视为微扰
B: 近自由电子近似认为固体内部电子只在单个原子周围运动
C: 零级近似实际已经忽略了晶体的周期性势场
D: k越接近nπ/a，E-k曲线越接近自由电子的E-k曲线
答案: 【 零级近似实际已经忽略了晶体的周期性势场】

6、判断题：
‏量子自由电子理论能够解释导体、半导体和绝缘体的差异。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‎因为二价金属价电子正好填满能带，因此不导电。（    ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‏构成晶体时，原子越靠近，能级分裂越明显。（    ）‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‎跨过布里渊区边界，能量将出现跳跃。（    ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‌二维k空间构成的第一布里渊区内，位于距原点相同距离的位置上越接近布里渊区边界的状态点，能量越高。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

单元测验-2.1节

1、单选题：
关于材料的导电性，下列说法错误的是（    ）。‏‏
选项：
A: 材料的导电性差异很大
B: 材料的导电性与载流子的迁移有关
C: 材料具有多种载流子
D: 电阻是一个只与材料本身性能有关的物理量
答案: 【 电阻是一个只与材料本身性能有关的物理量】

2、单选题：
下列与材料导电性相关的表达式错误的是（    ）。‏
选项：
A: J=σE
B: ρ=RS/L
C: ρ=1/σ
D: σ=nqμ
答案: 【 ρ=RS/L】

3、单选题：
载流子迁移率的物理意义是（    ）。‎‏‎
选项：
A: 载流子在电场中的迁移速度
B: 载流子在单位时间内经过的距离
C: 载流子在单位电场中的迁移速度
D: 单位时间内通过单位截面积的载流子数量
答案: 【 载流子在单位电场中的迁移速度】

4、单选题：
电导率的单位是（     ）。​‍​
选项：
A: S/m 
B: Ω∙m
C: Ω/m
D: S·m
答案: 【 S/m 】

5、单选题：
下面说法错误的是（     ）。‍
选项：
A: 迁移数也称输运数
B: 表征材料导电载流子种类对导电的贡献
C: 某载流子提供的电导率与固体总电导率之比
D: 输运电荷的微观粒子数量
答案: 【 输运电荷的微观粒子数量】

6、判断题：
‏电阻这个物理参量仅与材料的导电性有关，与导体的几何尺寸无关。（   ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
​自由电子是导体中的唯一载流子。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‎迁移率可用来表征载流子种类对导电的贡献。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
‌材料的导电性需要考虑每种载流子的数量、带电量以及迁移率。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‏工程上常用绝对电导率表征导体材料的导电性。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

单元测验-2.2节

1、单选题：
一般来说，（    ）可以引起电阻率的降低。‌‌‏‌
选项：
A: 溶入溶质原子形成固溶体
B: 材料变薄
C: 有序化处理
D: 冷变形
答案: 【 有序化处理】

2、单选题：
在应力下，与金属导电性相关的描述错误的是（    ）。‏‏
选项：
A: 电阻压应力系数为正值
B: 压应力引起晶格畸变减弱
C: 应力可能引起材料发生相变
D: 极高应力下有可能变成超导体
答案: 【 电阻压应力系数为正值】

3、单选题：
温度较高时，金属产生电阻的机制主要是（    ）。‍‍
选项：
A: 电子-电子散射
B: 电子-声子散射
C: 声子-声子散射
D: 电子-光子散射
答案: 【 电子-声子散射】

4、单选题：
量子自由电子理论认为金属中参与导电的电子是（    ）。‎‎
选项：
A: 金属中的自由电子
B: 费米面附近的电子
C: 导带上的电子
D: 满带的电子
答案: 【 费米面附近的电子】

5、单选题：
关于材料导电性理论，下列说法错误的是（    ）。‍‍
选项：
A: 经典自由电子理论将自由电子的机械碰撞视为电阻的来源
B: 量子自由电子理论中，将金属电阻的产生视为电子波被正离子点阵的散射
C: 能带理论中，电子的有效质量是考虑晶体点阵对电场作用的结果
D: 三种导电理论的不同，源于实际考虑的电子质量和散射系数的不同
答案: 【 三种导电理论的不同，源于实际考虑的电子质量和散射系数的不同】

6、判断题：
‌变形量越大，金属的电阻率越低。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‍简单金属形成的固溶体电阻率最大值往往位于50 %原子百分数处。（    ）‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‏量子自由电子理论和能带理论中所描述的自由电子的平均自由程相同。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
‌不同缺陷类型对电阻率影响程度类似。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

10、判断题：
‍材料晶体结构的各向异性往往引起电阻率的各向异性。（    ）‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

单元测验-2.3节

1、单选题：
形成一个缺陷所需要的能量，称为（    ）。‍‍‎‍
选项：
A: 解离能
B: 离解能
C: 迁移能
D: 激活能
答案: 【 离解能】

2、单选题：
电导活化能包括（    ）。​​
选项：
A: 迁移能
B: 缺陷形成能
C: 缺陷形成能和迁移能
D: 扩散能
答案: 【 缺陷形成能和迁移能】

3、单选题：
下列关于离子类载流子导电的描述，错误的是（    ）。‍‍
选项：
A: 本征导电在低温条件下形成
B: 离子类载流子导电通常是在多种载流子下的导电
C: 温度越高，缺陷越容易形成
D: 离子类载流子导电通常考虑的是离子扩散的情况
答案: 【 本征导电在低温条件下形成】

4、单选题：
下列关于影响离子类载流子导电的描述，错误的是（    ）。​​
选项：
A: 温度越高，电阻率越高
B: 导电机制变化，可能引起电导率变化出现拐点
C: 碱卤化合物的负离子半径越大，电导率越高
D: 离子晶体中点缺陷的生成和浓度大小是决定离子导电的关键
答案: 【 温度越高，电阻率越高】

5、单选题：
离子类载流子导电与（    ）无关。‌‌
选项：
A: 载流子数量
B: 载流子的迁移率
C: 电导活化能
D: 自由电子
答案: 【 自由电子】

6、判断题：
‏参与杂质导电的杂质往往是晶格中结合较强的离子。（    ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‎熔点越高的离子晶体，电导率也越高。（    ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‌离解能越低，热缺陷浓度越高。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

9、判断题：
‏离子的导电性往往与离子扩散有关。（    ）‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‎离子导电时，往往同时存在正离子和负离子的导电。（    ）​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

单元测验-2.4节

1、单选题：
n型半导体的施主能级一般位于（    ）。​​‌​
选项：
A: 接近导带的下方
B: 接近满带的上方
C: 费米能的上方
D: 接近价带的上方
答案: 【 接近导带的下方】

2、单选题：
随着温度的升高，p型半导体的费米能（    ）。‏‏‍‏
选项：
A: 从导带底部能级向禁带中央变化
B: 从导带顶部能级向禁带中央变化
C: 从价带顶部能级向禁带中央变化
D: 从价带底部能级向禁带中央变化
答案: 【 从价带顶部能级向禁带中央变化】

3、单选题：
下列说法正确的是（    ）。‌‌
选项：
A: 电子和空穴的迁移率随温度升高而下降
B: 电子和空穴的数量随温度升高而下降
C: 本征半导体的电导率随温度升高而下降
D: 金属的电导率随温度升高而上升
答案: 【 电子和空穴的迁移率随温度升高而下降】

4、单选题：
下列有关杂质半导体导电的说法，错误的是（    ）。‌‌
选项：
A: 杂质半导体导电随温度变化存在饱和区
B: 低温区，杂质半导体的电导率随温度升高而下降
C: 温度升高，杂质半导体导电将呈现本征导电的特征
D: 高温下，杂质半导体上的电子完全离解激发
答案: 【 低温区，杂质半导体的电导率随温度升高而下降】

5、单选题：
下列有关pn结的说法错误的是（    ）。‍‍
选项：
A: pn结存在单向导电性
B: pn结中存在空间电荷区
C: pn结能够被击穿
D: pn结的费米能就是n型半导体和p型半导体的费米能
答案: 【 pn结的费米能就是n型半导体和p型半导体的费米能】

6、判断题：
‍半导体的导电性也是电子类载流子导电。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

7、判断题：
​半导体的费米能位于禁带中央。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‍较高温度下，n型半导体施主能级上的电子比导带底部的电子多。（    ）‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

9、判断题：
‏半导体的导电性与其能带结构也有关系。（    ）‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

10、判断题：
‌空穴的移动方向与电场方向相同。（    ）‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

单元测验-3.1节

1、单选题：
下列有关电介质极化微观机制的描述，错误的是（    ）。‎‎
选项：
A: 一般来说，电子位移极化与电场频率相关
B: 离子偏移平衡位置引起离子位移极化
C: 取向极化与电偶极子定向排列有关
D: 介质中的各种缺陷都可能成为引起空间电荷极化的因素
答案: 【 一般来说，电子位移极化与电场频率相关】

2、单选题：
下列有关电极化强度P的描述错误的是（    ）。​
选项：
A: P的大小反映了电介质的极化程度
B: P也是电荷面密度