MOOC 模拟电子技术(福建师范大学福清分校)1464624200 最新慕课完整章节测试答案

01-02 杂质半导体

1、单选题：
‏N型半导体中的多子是（）。‌
选项：
A: 电子
B:  空穴
C: 正离子
D:  负离子
答案: 【 电子】

2、单选题：
​P型半导体中的多子是（）。‌
选项：
A: 电子
B: 空穴 
C: 正离子
D: 负离子
答案: 【 空穴  】

3、单选题：
‍在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。‌
选项：
A: 掺杂工艺 
B: 杂质浓度 
C: 晶体缺陷
D: 温度 
答案: 【 杂质浓度 】

4、单选题：
‏在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。​
选项：
A: 温度  
B: 掺杂工艺
C: 杂质浓度
D: 晶体缺陷
答案: 【 温度   】

5、单选题：
‏在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。‏
选项：
A: 五价
B: 四价
C: 三价
D: 任意
答案: 【 五价】

6、单选题：
‎在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。‎
选项：
A: 五价      
B: 四价       
C: 三价
D: 任意
答案: 【 三价】

7、判断题：
​P型半导体带正电，N型半导体带负电。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‌在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素可以改型为P型半导体。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

01-03 PN结

1、单选题：
‍在下列说法中只有（）说法是正确的。‍
选项：
A: P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得
B: 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体
C:  P型半导体带正电，N型半导体带负电
D:  PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的
答案: 【 在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体】

2、单选题：
‎在下列说法中只有（）说法是正确的。​
选项：
A:  漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的
B: 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过
C: PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性
D: 扩散电流是少子运动产生的
答案: 【  漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的】

3、单选题：
‏当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。​
选项：
A: 大于 
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案: 【 大于  】

4、单选题：
‌当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。​
选项：
A: 大于
B: 小于 
C: 等于
D: 不确定
答案: 【  小于  】

5、单选题：
‍下列说法正确的是（）。‏
选项：
A:  PN结正偏导通，反偏导通
B: PN结正偏截止，反偏导通
C: PN结正偏导通，反偏截止
D: PN结正偏截止，反偏截止
答案: 【 PN结正偏导通，反偏截止】

6、单选题：
‍当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域？‏
选项：
A: 阻挡层
B: 耗尽层
C: 空间电荷区
D: 突变层
答案: 【 突变层】

7、单选题：
‏一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（）。‏
选项：
A: 有微弱电流
B: 无电流
C: 有瞬间微弱电流
D: 有较大电流
答案: 【 无电流】

8、判断题：
​PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

本征半导体

1、单选题：
‌在绝对零度（0 K）时，本征半导体中（）载流子。‏
选项：
A: 有
B: 没有
C: 少数
D: 多数
答案: 【 没有】

2、单选题：
‍在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）。‏
选项：
A: 负离子
B: 空穴
C: 正离子
D: 电子-空穴对
答案: 【  电子-空穴对】

3、单选题：
‍半导体中的载流子为（）。‏
选项：
A: 电子  
B: 空穴 
C: 正离子  
D: 电子和空穴
答案: 【 电子和空穴】

4、单选题：
‍半导体中的空穴是（ ）。‎
选项：
A: 半导体中的晶格缺陷形成的
B: 电子脱离共价键后留下的空位
C: 带正电的离子
D: 外部注入
答案: 【 电子脱离共价键后留下的空位】

5、判断题：
‏本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

6、判断题：
‍半导体中的空穴带正电。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

02-01 二极管的组成

1、单选题：
‍半导体二极管的重要特性之一是（）。‏
选项：
A: 温度稳定性 
B: 单向导电性   
C: 放大作用   
D: 滤波特性
答案: 【 单向导电性    】

2、判断题：
‌整流电路中的二极管应采用点接触型二极管。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、判断题：
‏在高频电路中的检波管通常采用点接触型二极管。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

02-02 二极管的伏安特性

1、单选题：

‏在如图所示的电路中，当电源V1＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到V1＝10V，则电路中的电流I的值将是（）。

‎

‏

‎

‏

‎选项：
A: I = 2mA 
B: I < 2mA 
C:  I > 2mA 
D:  I = 0mA
答案: 【  I > 2mA  】

2、单选题：
‍二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。‌
选项：
A: 击穿电压
B: 死区
C: 饱和
D: 0V
答案: 【 死区】

3、单选题：
‍在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。​
选项：
A: 增大
B: 不变 
C: 减小
D: 不确定
答案: 【 增大】

4、单选题：
‌用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的（）电阻，由于不同量程时通过二极管的电流（），所测得正向电阻阻值（）。‍
选项：
A: 静态、相同、相同
B: 动态，相同，相同
C: 静态，不同，不同
D: 动态，不同，不同
答案: 【 静态，不同，不同】

5、单选题：
​设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。当二极管的结温升高10℃，若要UD保持不变，则ID的值为（）。‍
选项：
A: 小于10mA
B: 大于10mA
C: 等于10mA
D: 不确定
答案: 【 大于10mA】

6、单选题：
​设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

7、单选题：
‏在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确。‎
选项：
A: Uth≈0.525V，IS≈0.05pA
B: Uth≈0.525V，IS≈0.2pA
C: Uth≈0.475V，IS≈0.05pA
D: Uth≈0.475V，IS≈0.2pA
答案: 【 Uth≈0.475V，IS≈0.2pA】

8、单选题：
‌设某二极管反向电压为10V时，反向电流为 0.1μA 。在保持反向电压不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，反向电流大约为（ ）。‌
选项：
A: 0.05μA
B: 0.1μA
C: 0.2μA
D: 1μA
答案: 【 0.2μA】

02-03 二极管的主要参数

1、单选题：
‏关于二极管的反向电流，下列说法正确的是（）。‌
选项：
A: 反向电流越大越好
B: 反向电流越大二极管的单向导电性越好
C: 反向电流越大二极管的温度稳定性越不好
D: 反向电流越大二极管的温度稳定性越好
答案: 【 反向电流越大二极管的温度稳定性越不好】

2、单选题：
​若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。‍
选项：
A: 正、反向电阻相等
B: 正向电阻大，反向电阻小
C: 反向电阻远大于正向电阻
D: 正、反向电阻都很大
答案: 【 反向电阻远大于正向电阻】

3、单选题：
‎当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。‎
选项：
A: 多数载流子浓度增大 
B: 少数载流子浓度增大
C: 多数载流子浓度减小 
D: 少数载流子浓度减小
答案: 【 少数载流子浓度增大】

4、判断题：
​二极管只要反偏，必然截至。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

5、判断题：
‎二极管的单向导电性与信号频率无关。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

03-01 二极管电路分析思路

1、判断题：
‌电路的静态和动态之间相互独立，没有联系。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

2、判断题：
​在电子电路分析过程中，应先动态后静态。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

3、填空题：
‎将放大电路没有交流信号输入，只有直流电源单独作用的状态称为                。‌
答案: 【 静态】

4、填空题：
‌将放大电路有交流信号输入的状态称为                    。‏
答案: 【 动态】

03-05 常见二极管应用电路

1、单选题：

‍电路如图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（    ）。

‌

‍

‌选项：
A: －2V     
B:  0V  
C: 6V    
D: 12V
答案: 【 －2V      】

2、单选题：

‏图中二极管可视为理想二极管，A、B、C三个灯具有完全相同的特性，其中最亮的灯是（ ）。

‌

‏

‌选项：
A: A
B: B
C: C
D: 一样亮
答案: 【 B】

3、单选题：

‍二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。 (设二极管的导通压降为0.7V。)

‎

‍

‎选项：
A:  0V
B: -0.7V
C: -1.7V
D: 1V
答案: 【 -0.7V 】

4、单选题：

‏在如图所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6Ω。当普通指针式万用表置于R×1Ω档时，用黑表笔（正电）接A点，红表笔（负电）接B点，则万用表的指示值为（）。

‎

‏

‎选项：
A: 18Ω 
B:  9Ω 
C:  3Ω 
D: 2Ω
答案: 【 18Ω  】

5、填空题：

‏图中各二极管的导通压降均为0.7V，UO=      V。

‎

‏

‎答案: 【 7.3】

04-01 稳压二极管基础

1、单选题：
‎以下哪个符号是稳压二极管的符号（）。‎
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
‍稳压管的稳压区是其工作在（）区。‏
选项：
A: 正向导通
B: 死区
C: 反向截止
D: 反向击穿
答案: 【 反向击穿】

3、单选题：
‎某只硅稳压管的稳定电压Uz = 4V，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（）。​
选项：
A: +5V和-5V
B:  -5V和+4V  
C: +4V和-0.7V 
D: +0.7V和-4V
答案: 【 +0.7V和-4V】

4、单选题：
‍稳压二极管构成的稳压电路，其正确接法是（）。‍
选项：
A: 稳压管与负载电阻串联
B: 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管串联
C: 稳压管与负载电阻并联
D: 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联
答案: 【 限流电阻与稳压管串联后，负载电阻再与稳压管并联】

5、判断题：
​稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

04-02 稳压二极管的应用

1、单选题：

‏设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。

‎

‏

‎选项：
A: 13V
B: 5V
C: 8V
D: 1.4V
答案: 【 13V 】

2、单选题：

‍设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。

‍

‍

‍选项：
A: 4.3V   
B: 8V 
C: 5V  
D: 0.7V
答案: 【 5V   】

3、单选题：

‌设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（）。

‏

‌

‏选项：
A: 4.3V 
B: 8V 
C: 5V 
D:  0.7V
答案: 【  0.7V】

4、单选题：

​在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。

‏

​

‏选项：
A: 1V  
B: 6V  
C: 13V 
D: 7V
答案: 【 1V   】

5、单选题：

‌在如图所示电路中，已知稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为6V和7V，且具有理想的稳压特性，可求得输出电压为（）。

‍

‌

‍选项：
A: 6V  
B: 7V  
C: 5V  
D: 1V
答案: 【 5V   】

6、单选题：

‎下图所示电路中，稳压管DZ的稳定电压VZ = 6V，最小稳定电流Izmin = 5mA，输入电压VI = 12V，电阻R=100Ω，在稳定条件下IL的数值最大不应超过（）。

‍

‎

‍选项：
A: 40mA    
B: 45mA    
C: 55mA    
D: 60mA
答案: 【 55mA     】

04-03 其他类型的二极管

1、单选题：
‏能够进行光电转换的二极管是（）。‏
选项：
A: 发光二极管 
B: 光电二极管 
C: 稳压二极管  
D: 变容二极管
答案: 【 光电二极管  】

2、单选题：
‌发光二极管的符号是（）。‍
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、判断题：
​变容二极管是利用二极管的结电容可变的原理工作的。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

4、判断题：
‌普通二极管也可以稳压（）。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

5、判断题：
​所有的二极管都工作在正偏状态（）。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

05-01 晶体管的结构和工作原理

1、单选题：
‍NPN型晶体管的符号是（）。​
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

2、单选题：
‎PNP型晶体管的符号是（）。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

3、单选题：
晶体管有（ ）个PN结。‍
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

4、多选题：
‏晶体管的三个极为（）。（注：多选）‍
选项：
A: 阳极 
B: 基极   
C: 发射极
D: 集电极
答案: 【 基极    ;
发射极 ;
集电极】

5、判断题：
‍晶体管是一种将输入电流进行放大的半导体元器件。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

05-02 晶体管的放大原理

1、单选题：
‍工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。‏
选项：
A: VC<VB<VE
B: VC>VB>VE
C: VC<VE<VB
D: VC>VE>VB
答案: 【 VC<VB<VE】

2、单选题：
‍晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。‏
选项：
A: 集电结正向偏置、发射结正向偏置
B: 集电结正向偏置、发射结反向偏置
C: 集电结反向偏置、发射结反向偏置
D: 集电结反向偏置、发射结正向偏置
答案: 【 集电结反向偏置、发射结正向偏置】

3、单选题：
‎双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。‏
选项：
A: 多子            
B: 少子        
C: 多子和少子两种载流子        
D: 自由电子
答案: 【 多子和少子两种载流子         】

4、单选题：
​在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。‌
选项：
A: NPN 型硅管
B: NPN 型锗管
C: PNP 型硅管
D: PNP 型锗管
答案: 【 NPN 型硅管 】

5、单选题：
‌NPN型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：UA=3.3V，UB=4V，UC=6V，则A、B、C对应的电极是（）。‌
选项：
A: C，B，E     
B: B，C，E   
C: E，C，B    
D: E，B，C
答案: 【 E，B，C】

6、单选题：
‌下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。‍
选项：
A: IE=βIB
B: IC=αIB
C: IC=βIB
D: IE=αIB
答案: 【 IC=βIB】

7、判断题：
​双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、判断题：
‎晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

05-03 晶体管的伏安特性

1、单选题：
晶体管是（ ）器件。‍
选项：
A: 电流控制电流   
B: 电流控制电压  
C: 电压控制电压  
D: 电压控制电流
答案: 【 电流控制电流    】

2、单选题：
‎管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。‍
选项：
A: 左移   
B: 右移  
C: 上移   
D: 下移
答案: 【 右移   】

3、单选题：
​晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。‏
选项：
A: Ic            Ib     Uce
B: Ib            Ic     Uce 
C: Uce         Ib     Ube
D: Uce        Ic      Ib
答案: 【 Ib            Ic     Uce  】

4、单选题：
‌某晶体三极管的IB 从20μA变化到40μA时，对应的IC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）。‍
选项：
A: 100          
B: 150
C: 200           
D: 300
答案: 【 150 】

5、判断题：
‏对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

05-04 晶体管的工作区

1、单选题：
​已知某晶体管UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。‎
选项：
A: 放大        
B: 饱和
C: 截止      
D: 击穿
答案: 【 放大         】

2、单选题：
‎在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。‌
选项：
A: IB   
B: UCE      
C: UBE        
D: IC
答案: 【 UCE       】

3、单选题：
‏当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。‎
选项：
A: 前者正偏，后者也正偏
B: 前者正偏，后者反偏
C: 前者反偏，后者正偏
D: 前者反偏，后者也反偏
答案: 【 前者反偏，后者也反偏】

4、单选题：
‍PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。‎
选项：
A: UBE>0，UCB>0
B: UBE>0，UCB<0
C: UBE<0，UCB>0
D: UBE<0，UCB<0
答案: 【 UBE>0，UCB<0 】

5、单选题：
‏晶体管的开关作用是（）。‎
选项：
A: 饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开
B: 饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通
C: 饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开
D: 饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通
答案: 【 饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开】

6、单选题：

‏某放大电路如图所示。设VCC>>UBE，ICEO≈0，则在静态时该三极管处于（）。

‍

‏

‍选项：
A: 放大区        
B: 饱和区    
C: 截止区      
D: 区域不定
答案: 【 饱和区     】

7、单选题：

‍如图所示的电路中的三极管β=50，通过估算，可判断电路工作在（）区。

​

‍

​选项：
A: 放大区    
B: 饱和区    
C: 截止区 
D: 击穿区
答案: 【 截止区  】

8、单选题：

‎在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，UBE＝－0.2。问：当开关与A处相接时，三极管处于（）状态。

‌

‎

‌选项：
A:  放大
B: 饱和 
C: 截止
D: 击穿
答案: 【 饱和  】

05-05 晶体管的主要参数

1、单选题：
‎温度上升时，半导体三级管的（）。‌
选项：
A: β和UBE增大，ICBO减小
B: β和ICBO增大，UBE下降
C: β减小，ICBO和UBE增大
D: β、ICBO和UBE均增大
答案: 【 β和ICBO增大，UBE下降】

2、单选题：
‏某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。‍
选项：
A: 100mA，100mA
B: 15mA，100mA
C: 15mA，150mA
D: 100mA，15mA
答案: 【 15mA，100mA】

3、单选题：
‎3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。‌
选项：
A: 工作正常
B: 放大能力较差
C: 击穿
D: 管子过热甚至烧坏
答案: 【 管子过热甚至烧坏】

4、单选题：
‏测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，晶体管的共射电流放大系数β（）。‏
选项：
A: 60       
B: 61      
C: 100        
D: 50
答案: 【 60        】

5、单选题：
‌晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。‍
选项：
A: 增加     
B: 下降 
C: 不变
D: 不确定
答案: 【 下降  】

6、单选题：
‌三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。‌
选项：
A: 多数载流子   
B: 少数载流子  
C: 多数载流子和少数载流子
D: 不确定
答案: 【 少数载流子   】

7、单选题：
‎温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。‍
选项：
A: 上移并间距缩小
B: 下移并间距增大
C: 上移并间距增大
D: 下移并间距缩小
答案: 【 上移并间距增大】

8、单选题：

‌某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管（）。

‌

‌

‌选项：
A: 处于放大区域
B:  处于饱和区域  
C:   处于截止区域  
D:   已损坏
答案: 【   已损坏】

第一章半导体器件测验

1、单选题：
​若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（）。‏
选项：
A: 正、反向电阻相等
B: 正向电阻大，反向电阻小
C: 反向电阻远大于正向电阻
D: 正、反向电阻都很大
答案: 【 反向电阻远大于正向电阻】

2、单选题：
​在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。‍
选项：
A: 增大
B: 不变 
C: 减小
D: 不确定
答案: 【 增大】

3、单选题：
‍二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。‎
选项：
A: 击穿电压
B: 死区
C: 饱和
D: 0V
答案: 【 死区】

4、单选题：
‎发光二极管的符号是（）。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

5、单选题：

‌在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。

‌

‌

‌选项：
A:  0mA  
B: 3.6mA  
C: 2.75mA 
D: 4.8mA
答案: 【  0mA   】

6、单选题：
‌在本征半导体中加入（）元素可形成P型半导体。​
选项：
A: 五价      
B: 四价       
C: 三价
D: 任意
答案: 【 三价】

7、单选题：
‍半导体中的载流子为（）。​
选项：
A: 电子  
B: 空穴 
C: 正离子  
D: 电子和空穴
答案: 【 电子和空穴】

8、单选题：
‌在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。​
选项：
A: 温度  
B: 掺杂工艺
C: 杂质浓度
D: 晶体缺陷
答案: 【 温度   】

9、单选题：
​晶体管的开关作用是（）。​
选项：
A: 饱和时集-射极断开，截止时集-射极断开
B: 饱和时集-射极断开，截止时集-射极接通
C: 饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开
D: 饱和时集-射极接通，截止时集-射极接通
答案: 【 饱和时集-射极接通，截止时集-射极断开】

10、单选题：
‎双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。‍
选项：
A: 多子            
B: 少子        
C: 多子和少子两种载流子        
D: 自由电子
答案: 【 多子和少子两种载流子         】

11、单选题：
‏晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。‍
选项：
A: Ic            Ib     Uce
B: Ib            Ic     Uce 
C: Uce         Ib     Ube
D: Uce        Ic      Ib
答案: 【 Ib            Ic     Uce  】

12、单选题：
‌PNP型晶体管的符号是（）。‏
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

13、单选题：
‍NPN型晶体管的符号是（）。‌
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【 】

14、单选题：
​工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。‍
选项：
A: VC<VB<VE
B: VC>VB>VE
C: VC<VE<VB
D: VC>VE>VB
答案: 【 VC<VB<VE】

15、单选题：
‍当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。‍
选项：
A: 前者正偏，后者也正偏
B: 前者正偏，后者反偏
C: 前者反偏，后者正偏
D: 前者反偏，后者也反偏
答案: 【 前者反偏，后者也反偏】

16、单选题：
晶体管有（ ）个PN结。‎
选项：
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4
答案: 【 2】

17、单选题：

‏用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。

‌

‏

‌选项：
A: BCE     
B: EBC      
C: CEB    
D: CBE
答案: 【 CBE】

18、单选题：

​用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。

‍

​

‍选项：
A: BCE      
B: EBC   
C: BEC     
D: CBE
答案: 【  BEC     】

19、判断题：
‍稳压二极管的正向特性与普通二极管正向特性基本一致。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

20、判断题：
​普通二极管也可以稳压（）。‏
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

21、判断题：
‍半导体中的空穴带正电。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

22、判断题：
‍P型半导体带正电，N型半导体带负电。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

23、判断题：
‎本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

24、判断题：
‎晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

25、填空题：

‍二极管电路如图所示。其中I=（）mA。（二极管理想）

‍

‍

‍答案: 【 3】

26、填空题：

​二极管电路如图所示。其中I1=（）mA。（二极管理想）

‎

​

‎答案: 【 0】

27、填空题：

‎某电路中，三极管静态时各极对地的电位如图所示，则其工作于（）状态。（放大、饱和、截止）（设三极管和二极管均为硅管）

‌

‎

‌答案: 【 截止】

28、填空题：
‌某处于放大状态的三极管，测得1、2、3号电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.7V，则其为（）型管。（NPN、PNP）‏
答案: 【 PNP】

29、填空题：

‏二极管电路如图所示。输出电压Uo值为（）V。（二极管理想）

‌

‏

‌答案: 【 0】

30、填空题：

‌已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，下图所示电路中的UO2为（）V。

‍

‌

‍答案: 【 5】

06-01 放大的概念与放大电路的性能指标

1、单选题：
‌某放大电路在输入电压为0.1V时，输出电压为8V；输入电压为 0.2V时，输出电压为 4V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为（）。‍
选项：
A: 80       
B: 40
C: －40       
D: 20
答案: 【 －40        】

2、单选题：
‍电压放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（）。‎
选项：
A: 强　　
B: 弱　　
C: 一般  
D: 不确定
答案: 【 强　　】

3、单选题：
‏放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明电路A的（）。‎
选项：
A: 输入电阻大  
B: 输入电阻小   
C: 输出电阻大  
D: 输出电阻小
答案: 【 输入电阻小    】

4、单选题：
​对于电流放大电路来说，输出电阻（）越好。‎
选项：
A: 越小
B: 越大
C: 随意
D: 不确定
答案: 【 越大 】

5、判断题：
‍只有电路既放大电压又放大电流，才称其具有放大作用。‌
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

6、判断题：
​放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。‍
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

7、判断题：
‍可以在放大电路通电情况下，用欧姆表测量该放大电路的输出电阻。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

8、填空题：
‌已知某放大电路的输出电阻为3KΩ，在接有4KΩ负载电阻时，测得输出电压为2V。在输入电压不变的条件，断开负载电阻，输出电压将上升到（   ）V。‌
答案: 【 3.5】

9、填空题：
‎放大电路当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得的输出电压为4V，在信号源内阻增大到1kΩ，其它条件不变时，测得输出电压为3V，该放大电路的输入电阻为（）kΩ。​
答案: 【 3】

06-02 放大电路的偏置和组态

1、单选题：
‍共发射极放大电路信号从（）。‍
选项：
A: 基极输入，集电极输出
B: 发射极输入，集电极输出
C: 基极输入，发射极输出
D: 发射极输入，基极输出
答案: 【 基极输入，集电极输出】

2、单选题：
‏共基极放大电路信号从（）。‌
选项：
A: 基极输入，集电极输出
B: 发射极输入，集电极输出
C: 基极输入，发射极输出
D: 发射极输入，基极输出
答案: 【 发射极输入，集电极输出】

3、单选题：
‏共集电极放大电路信号从（）。​
选项：
A: 基极输入，集电极输出
B: 发射极输入，集电极输出
C: 基极输入，发射极输出
D: 发射极输入，基极输出
答案: 【 基极输入，发射极输出】

4、单选题：

​下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。

‍

​

‍选项：
A: 共射 共射
B: 共集 共基
C: 共射 共基
D: 共射 共集
答案: 【 共射 共基】

5、单选题：

​下图所示放大电路中，T1和T2管分别构成（）组态电路。

‌

​

‌选项：
A: 共集 共射
B: 共集 共基
C: 共射 共基
D: 共射 共射
答案: 【 共射 共射】

6、单选题：
​阻容耦合放大电路不能放大（）。‏
选项：
A: 高低频混合信号
B: 语音信号
C: 交变信号
D: 直流信号
答案: 【 直流信号】

7、判断题：
‍直接耦合放大电路的静态工作点易受影响，低频特性好，易于集成。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

06-03 共射放大电路的工作原理

1、单选题：

‏基本共射放大电路中，基极电阻Rb的主要作用是（）。

​

‏

​选项：
A: 把基极电流的变化转化为输入电压的变化
B: 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路
C: 保护信号源
D: 防止输出电压被短路
答案: 【 限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路】

2、单选题：

‎电路中的晶体管原处于放大状态，若将Rb调至零，则晶体管（）。

‎

‎

‎选项：
A: 仍处于放大状态
B: 处于饱和状态
C: 过热烧毁
D: 处于截止状态
答案: 【 过热烧毁】

3、单选题：

‍基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的主要作用是（）。

‌

‍

‌选项：
A: 限制集电极电流的大小
B: 防止信号源被短路
C: 保护直流电压源
D: 将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量
答案: 【 将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量】

4、单选题：
‎在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则uo和ui的相位（）。‍
选项：
A: 同相 
B: 反相 
C: 超前90度
D: 滞后90度
答案: 【 反相  】

5、单选题：
‎在单级共射放大电路中，在中频小信号情况下，若输入电压ui为正弦波，则ui和ic的相位（）。‌
选项：
A: 同相 
B: 反相
C: 超前90度
D: 滞后90度
答案: 【 同相  】

6、单选题：

‍在图示基本共射放大电路中，放大电路中的直流分量来源于（）。

‎

‍

‎选项：
A: 晶体管
B: 直流电源
C: 信号源
D:  耦合电容
答案: 【 直流电源】

7、判断题：
‏在放大电路中，直流、交流分量共存，两种信号分量的作用不同。​
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】

8、判断题：
‌对放大电路进行分析，采取先动态后静态的分析方法。‎
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】

07-01 直流通路和交流通路

1、单选题：
​理想情况下，下列器件中对直流信号相当于断路的是（）。‌
选项：
A: 电容   
B: 电感   
C: 理想直流电压源  
D: 理想直流电流源
答案: 【 电容    】

2、单选题：

‎如图所示电路的直流通路为（）。

‎

‎

‎

‎

‎

‎

‎选项：
A: （a） 
B: （b）
C: （c）
D: （d）
答案: 【 （c）】

3、单选题：

‌可画出如图所示放大电路的交流通路为图（）。

​

‌

​

‌

​选项：
A:  (a) 
B: (b)
C:  (c) 
D:  (d)
答案: 【  (b)】

4、单选题：

‌根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图（）具备放大条件。

‏

‌

‏选项：
A: （a） 
B: （b）
C: （c）
D: （d）
答案: 【 （d）】

5、多选题：
‏理想情况下，下列器件中对交流信号相当于短路的是（）。（注：多选）‏
选项：
A: 电容  
B: 电感   
C: 理想直流电流源  
D: 理想直流电压源
答案: 【 电容   ;
理想直流电压源】

07-02 静态分析估算法

1、单选题：

‎

‌选项：
A: IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-2V
B: IBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+2V
C: IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4V
D: IBQ=20.8μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=+4V
答案: 【 IBQ=20μA,ICQ=2mA,UCEQ=-4V】

2、单选题：

‍

‍选项：
A: IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4V
B: IBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=12V
C: IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=5.6V
D: IBQ=21μA,ICQ=2.1mA,UCEQ=10.6V
答案: 【 IBQ=10μA,ICQ=1mA,UCEQ=6.4V】

3、单选题：

‌电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3kΩ，β＝40且忽略UBE，若要使静态时UCE＝9V，则RB 应取（）。

​

‌

​选项：
A: 600 kΩ        
B: 240 kΩ
C: 480 kΩ
D: 360 kΩ
答案: 【 480 kΩ】

4、单选题：

‌对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈VCC时，有可能是因为（）。

‍

‌

‍选项：
A: Rb开路 
B:  RL短路
C: Rc开路 
D: Rb过小
答案: 【 Rb开路  】

5、单选题：

‎对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈0时，有可能是因为（）。

‍

‎

‍选项：
A: Rb开路
B: RL短路
C: Rc短路
D: Rb过小
答案: 【 Rb过小】

6、单选题：

‌对于如图所示放大电路，若VCC≈12V，Rc＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE＝8V，这说明（）。

​

‌

​选项：
A: 工作正常 
B: 三极管c－e极间开路 
C:  三极管b－e极间开路 
D: 电容C2短路
答案: 【 电容C2短路】

07-03 静态分析图解法

1、单选题：
‌直流负载线的斜率是（）。‌
选项：
A: -1/Rc
B: -1/RL
C: .-1/RB
D:
答案: 【 -1/Rc】

2、单选题：

‍如图所示，某固定偏置单管放大电路的静态工作点原来位于Q2，若将直流电源UCC适当增大，则静态工作点将移至（）。

‏

‍

‏选项：
A:  Q1      
B: 不变
C: Q3    
D: Q4
答案: 【 Q4】

3、单选题：

‌下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q1点移动到Q2点可能的原因是（）。

‏

‌

‏选项：
A: 电源UCC电压变高   
B: 集电极负载电阻RC变小
C: 集电极负载电阻RC变大                 
D: 基极回路电阻RB变大
答案: 【 集电极负载电阻RC变小】

4、单选题：

‎下图所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是（）。

​

‎

​选项：
A: 电源UCC电压变高
B: 基极回路电阻RB变大
C: 集电极负载电阻RC变大                 
D: 基极回路电阻RB变小
答案: 【 基极回路电阻RB变小】

5、单选题：

‌图