MOOC 21秋冬模电-蔡忠法-小(浙江大学)1464294167 最新慕课完整章节测试答案
1 基本半导体器件
第一单元测试
1、单选题：
在 半导体中，自由电子的浓度大于空穴浓度。
选项：
A: 本征
B: P型
C: N型
D: 以上都是
答案: 【 N型】
2、单选题：
当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
选项：
A: 大于
B: 小于
C: 等于
D: 不确定
答案: 【 大于】
3、单选题：
下图所示电路中，D为硅二极管。当VS = 5V时，测得流过二极管D的电流为1mA。若提高VS至10V，则流过二极管D的电流为： 。
选项：
A: 2mA
B: 大于2mA
C: 小于2mA
D: 无法确定
答案: 【 大于2mA】
4、单选题：
下图所示电路中，D为硅二极管，VS = 5V。在温度为20°时，测得二极管D的两端电压为0.7V。若提高温度至40°，则二极管D的两端电压为： 。
选项：
A: 0.7V
B: 大于0.7V
C: 小于0.7V
D: 无法确定
答案: 【 小于0.7V】
5、单选题：
下图所示电路中，D1、D2均为理想二极管，则它们的通断状态分别为： 。
选项：
A: 导通、导通
B: 导通、截止
C: 截止、导通
D: 截止、截止
答案: 【 导通、截止】
6、单选题：
在正常工作的放大电路中，测得某晶体三极管的各极对地电压分别为：0V、-0.7V、-5V。则，0V所对应的是三极管的： 。
选项：
A: 基极
B: 集电极
C: 发射极
D: 无法确定
答案: 【 发射极】
7、单选题：
在正常工作的放大电路中，测得某晶体三极管的三极电流如下图所示。
已知II = -1.2mA，I2 = -0.03mA，I3 =1.23mA。则，此晶体管的类型是： 。
选项：
A: NPN
B: PNP
C: NPN和PNP都可以
D: 无法确定
答案: 【 PNP】
8、单选题：
温度升高时，晶体管的电流放大系数β 。
选项：
A: 升高
B: 降低
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【 升高】
9、单选题：
下图所示电路的组态是： 。
选项：
A: 共基
B: 共集
C: 共射
D: 以上都不是
答案: 【 共集】
10、单选题：
某场效应管的转移特性如下图所示，此场效应管是： 。
选项：
A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案: 【 P沟道增强型】
11、单选题：
某场效应管的输出特性如下图所示，此场效应管是： 。
选项：
A: N沟道增强型
B: P沟道增强型
C: N沟道耗尽型
D: P沟道耗尽型
答案: 【 N沟道耗尽型】
12、单选题：
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，栅源电压VGS应： 。
选项：
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案: 【 大于0 】
13、单选题：
由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
选项：
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
答案: 【 大于0 】
14、单选题：
N沟道耗尽型场效应管中，栅源电压VGS越大，其导电能力将： 。
选项：
A: 越强
B: 越弱
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【 越强】
15、单选题：
N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。
选项：
A: 越大
B: 越小
C: 不变
D: 无法确定
答案: 【 无法确定】
16、单选题：
下图所示电路中，VI = 8V，RL = 250Ω，稳压二极管正常工作时的VZ = 5V，IZ = 10mA。则，限流电阻R的阻值为： 。
选项：
A: 250
B: 200
C: 150
D: 100
答案: 【 100】
17、单选题：
下图所示电路中，已知VB = 5.7V，VC = 15V，Rb = 100kΩ，Rc = 2kΩ，β = 100, VCES=0.3V 。则VCE为： V。
选项：
A: 5V
B: 0.7V
C: 0.3V
D: -5V
答案: 【 5V】
18、单选题：
下图所示电路中，已知VB = 5.7V，VC = 15V，Rb = 50k