MOOC 电工与电子技术C下（崔明勇）(燕山大学)1451593165 最新慕课完整章节测试答案
模块一半导体器件
半导体器件单元测验
1、单选题：
电路如图所示， 二极管D为理想元件，当输入信号 ui=12sinwtV时，输出电压的最大值为（ ）。
选项：
A: 12 V
B: - 6 V
C: 0 V
D: 6 V
答案: 【 6 V】
2、单选题：
电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，则在电路中（ ）。
选项：
A: D1起箝位作用，D2起隔离作用
B: D1起隔离作用，D2起箝位作用
C: D1、D2均起箝位作用
D: D1、D2均起隔离作用
答案: 【 D1起隔离作用，D2起箝位作用】
3、单选题：
电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为（ ）。
选项：
A: 5V
B: 10V
C: 2V
D: 7V
答案: 【 7V】
4、单选题：
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结、集电结均反偏
D: 发射结、集电结均正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】
5、单选题：
某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为3.7V、9V 和 3V，则3.7V 所对应的电极为（ ）。
选项：
A: 发射极
B: 集电极
C: 基极
D: 不确定
答案: 【 基极】
6、单选题：
电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ = 6 V，电源US = 4 V，则负载RL两端电压UO为（ ）。（稳压管承受正向电压时其管压降可视为0V）
选项：
A: 10V
B: 6V
C: -4V
D: 0V
答案: 【 -4V 】
7、单选题：
电路如图所示，二极管D1，D2 均为理想元件，则电压 UO =（ ）。
选项：
A: 6V
B: 0V
C: －12V
D: 12V
答案: 【 0V】
8、单选题：
电路如图所示，UCC=12V，晶体管T的电流放大系数 β=50，RB = 300 kΩ，RC= 3 kΩ，晶体管T处于（ ）。
选项：
A: 放大状态
B: 截止状态
C: 饱和状态
D: 开关状态
答案: 【 放大状态】
随堂测验1
1、填空题：
半导体的导电能力介乎于 和 之间。
答案: 【 导体绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体导体##%_YZPRLFH_%##导体， 绝缘体##%_YZPRLFH_%##绝缘体，导体】
2、填空题：
共价键中的两个电子，被称为 。
答案: 【 价电子】
3、填空题：
当半导体两端外加电压时，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动所形成的 电流；一是仍被原子核束缚的价电子递补空穴所形成的 电流。
答案: 【 电子空穴##%_YZPRLFH_%##电子，空穴】
随堂测验2
1、填空题：
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成 。
答案: 【 杂质半导体】
2、填空题：
半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。
答案: 【 N P##%_YZPRLFH_%##P N##%_YZPRLFH_%##N，P##%_YZPRLFH_%##P，N】
3、填空题：
在 P 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
答案: 【 空穴 自由电子##%_YZPRLFH_%##空穴，自由电子】
4、填空题：
在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子，空穴】
5、填空题：
Ｎ型半导体主要靠 导电，Ｐ型半导体主要靠 导电。
答案: 【 自由电子 空穴##%_YZPRLFH_%##自由电子，空穴】
随堂测验3
1、填空题：
PN结具有 性能，即加正向电压时，PN结 ，加反向电压时，PN结 。
答案: 【 单向导电 导通 截止##%_YZPRLFH_%##单向导电，导通，截止】
2、填空题：
PN结的正向接法是P型区接电源的 极，N型区接电源的 极。
答案: 【 正 负##%_YZPRLFH_%##正，负】
3、填空题：
PN 结加正向电压时，其正向电阻 ，正向电流 ，PN结处于 状态。
答案: 【 较小 较大 导通##%_YZPRLFH_%##较小，较大，导通】
4、填空题：
PN 结加反向电压时，其反向电阻 ，反向电流 ，PN结处于 状态。
答案: 【 较大 较小 截止##%_YZPRLFH_%##很大 很小 截止##%_YZPRLFH_%##较大，较小，截止##%_YZPRLFH_%##很大，很小，截止】
随堂测验4
1、单选题：
二极管接在电路中，若测得a、b 两端电位如图所示，则二极管工作状态为（ ）。
选项：
A: 截止
B: 导通
C: 击穿
D: 不确定
答案: 【 导通】
2、单选题：
电路如图所示，二极管D为理想元件，US = 5V，则电压uO =（ ）。
选项：
A: 5V
B: US/2
C: 0V
D: 不确定
答案: 【 5V】
3、单选题：
电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4kW，电位uA=1V，uB=3V，则电位UF等于（ ）。
选项：
A: 1V
B: 3V
C: 12V
D: -3V
答案: 【 1V】
4、单选题：
电路如图所示，输入信号ui = 6sint V时，二极管D承受的最高反向电压为（ ）。
选项：
A: 6V
B: 3V
C: 9V
D: 0V
答案: 【 3V 】
5、填空题：
二极管的伏安特性可简单理解为 导通， 截止的特性。
答案: 【 正向 反向##%_YZPRLFH_%##正向， 反向】
随堂测验5
1、单选题：
衡量稳压二极管稳压性能好坏最主要的是一个参数是（ ）。
选项：
A: 动态电阻rZ
B: 电压温度系数αu
C: 稳定电压UZ
D: 稳定电流IZ
答案: 【 动态电阻rZ】
2、单选题：
稳压管反向击穿后，其结果为（ ）。
选项：
A: 永久性损坏
B: 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
C: 由于击穿而导致性能下降
D: 由于击穿而导致短路
答案: 【 只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损】
3、单选题：
温度稳定性最好的稳压管是（ ）。
选项：
A: 具有正温度系数的管子
B: 具有负温度系数的管子
C: 温度稳定系数大的管子
D: 温度稳定系数小的管子
答案: 【 温度稳定系数小的管子】
4、单选题：
电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ = 6V，电源US = 4V，则负载RL两端电压UO为（ ）。（稳压管正向压降视为0V）
选项：
A: 10V
B: 6V
C: 0V
D: -4V
答案: 【 -4V】
随堂测验6
1、单选题：
PNP型和NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（ ）。
选项：
A: 可以调换使用
B: 不可以调换使用
C: PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
D: 不确定
答案: 【 不可以调换使用】
2、单选题：
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。
选项：
A: 发射结正偏，集电结反偏
B: 发射结反偏，集电结正偏
C: 发射结、集电结均反偏
D: 发射结、集电结均正偏
答案: 【 发射结正偏，集电结反偏】
3、单选题：
晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（ ）。
选项：
A: 发射结反偏，集电结正偏
B: 发射结、集电结均反偏
C: 发射结、集电结均正偏
D: 发射结正偏，集电结反偏
答案: 【 发射结、集电结均正偏】
4、单选题：
电路如图所示，晶体管处于（ ）。
选项：
A: 饱和状态
B: 放大状态
C: 截止状态
D: 不确定
答案: 【 饱和状态】
5、单选题：
已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为 2V、2.7V 和 6V，则2.7V 所对应的电极为（ ）。
选项：
A: 发射极
B: 基极
C: 集电极
D: 不确定
答案: 【 基极】
随堂测验7
1、单选题：
某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。
选项：
A: P沟道增强型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: N沟道耗尽型
答案: 【 N沟道增强型】
2、单选题：
某绝缘栅场效应管的符号如图所示，则该绝缘栅场效应管应为（ ）。
选项：
A: P沟道增强型
B: N沟道增强型
C: P沟道耗尽型
D: N沟道耗尽型
答案: 【 P沟道耗尽型】
3、判断题：
与晶体三极管相同，场效应晶体管也是电流控制元件。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
4、判断题：
绝缘栅场效晶体管按其工作状态可分为增强型和耗尽型两类，每类又有N沟道和P沟道之分。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
5、判断题：
N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS >UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
6、判断题：
场效应晶体管只依靠电子或空穴一种载流子的运动而工作，因此又称场效应晶体管为单极性晶体管。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
模块七 门电路和组合逻辑电路
门电路和组合逻辑电路单元测验
1、单选题：
数字电路中晶体管大多工作于( )。
选项：
A: 放大状态
B: 开关状态
C: 击穿状态
D: 短路状态
答案: 【 开关状态】
2、单选题：
在正逻辑条件下，如图所示逻辑电路为 ( ) 。
选项：
A: “与非”门
B: “与”门
C: “或”门
D: “或非”门
答案: 【 “与”门】
3、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 不确定
答案: 【 】
4、单选题：
. 逻辑图和输入