MOOC 模拟电子线路A(南京邮电大学)321004 最新慕课完整章节测试答案
第1讲知识单元1 - PN结与半导体二极管
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PN结与半导体二极管测试
1、单选题：
在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：
选项：
A: 本征半导体
B: 五价半导体
C: P型半导体
D: N型半导体
答案: 【 N型半导体】
2、单选题：
P型半导体中，少数载流子是：
选项：
A: 自由电子
B: 空穴
C: 带负电的杂质离子
D: 带正电的杂质离子
答案: 【 自由电子】
3、单选题：
如果PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结：
选项：
A: 反向漏电流小，反向击穿电压低。
B: 反向漏电流小，反向击穿电压高。
C: 反向漏电流大，反向击穿电压低。
D: 反向漏电流大，反向击穿电压高。
答案: 【 反向漏电流小，反向击穿电压低。】
4、单选题：
稳压管是利用PN结的（ ）特性制作而成的。
选项：
A: 单向导电性
B: 反向击穿性
C: 正向特性
D: 稳压特性
答案: 【 反向击穿性】
5、单选题：
电路如图所示，设二极管正向导通压降为0.7V，试估算流过二极管的电流和A点的电位。
选项：
A: 3.25mA；6.7V
B: 4mA；8V
C: 4mA；6.7V
D: 其他数值
答案: 【 3.25mA；6.7V】
6、单选题：
在图示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V1=10V，则电流的大小将是（ ）。
选项：
A: 2mA
B: 大于2mA
C: 小于2mA
D: 不一定
答案: 【 大于2mA】
7、单选题：
设下图中的二极管D为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通。
选项：
A: (a)导通 (b)导通
B: (a)导通 (b)截止
C: (a)截止 (b)导通
D: (a)截止 (b)截止
答案: 【 (a)导通 (b)截止】
8、判断题：
如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 正确】
9、判断题：
由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
10、判断题：
PN结正偏时，势垒电容是主要的。
选项：
A: 正确
B: 错误
答案: 【 错误】
第2讲知识单元2 - 场效应管及放大电路基础
场效应管测试
1、单选题：
某场效应管的|IDSS|为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为______。
选项：
A: P沟道结型管
B: N沟道结型管
C: 耗尽型PMOS管
D: 耗尽型NMOS管
E: 增强型PMOS管
F: 增强型NMOS管
答案: 【 耗尽型PMOS管】
2、单选题：
下图中的四个偏置电路中，能正常工作的是：
选项：
A: （a）
B: （b）
C: （c）
D: （d）
E: 以上都不对
答案: 【 以上都不对】
3、单选题：
图示电路中，若源极电阻RS增大，则该电路的漏电流ID会____。
选项：
A: 增大
B: 减小
C: 不变
D: 不定
答案: 【 减小】
4、单选题：
某场效应管的转移特性曲线如图所示，试问该管子是什么类型？
选项：
A: N沟道JFET
B: P沟道JFET
C: N沟道增强型MOS管
D: P沟道增强型MOS管
答案: 【 N沟道JFET】
5、单选题：
由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图（a）所示，若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图（b）所示的波形，则可判断该电路：
选项：
A: 静态工作点过于靠近饱和区
B: 静态工作点过于靠近截止区
C: 静态工作点过于靠近恒流区
D: 静态工作点过于靠近击穿区
答案: 【 静态工作点过于靠近截止区】
6、单选题：
如图两个电路能否放大输入信号？
选项：
A: （a）可以 （b）可以
B: （a）可以 （b）不可以
C: （a）不可以 （b）可以
D: （a）不可以 （b）不可以
答案: 【 （a）不可以 （b）不可以】
第3讲知识单元2 - 场效应管放大电路静态&动态分析
场效应管及放大电路分析测试
1、单选题：
已知场效应管的输出特性或转移特性如题图所示，试判别其类型。
（a） （b）
选项：
A: a图为N沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
B: a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET
C: a图为N沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
D: a图为P沟结型FET，b图为P沟增强型MOSFET
答案: 【 a图为P沟结型FET，b图为N沟增强型MOSFET】
2、单选题：
选项：
A: 可变电阻区
B: 恒流区
C: 截止区
D: 不能正常工作
答案: 【 截止区】
3、单选题：
选项：
A: 可变电阻区
B: 恒流区
C: 截止区
D: 不能正常工作
答案: 【 恒流区】
4、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 不能放大
答案: 【 】
5、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
6、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 不能放大
答案: 【 】
7、单选题：
选项：
A: 
B: 
C: 
D: 
答案: 【 】
场效应管及放大电路综合测试
1、单选题：
指出符合下列性能特点的电路有哪些？
1．电压放大倍数绝对值一定小于1的电路有____；
2．输出电压和输入电压反相的电路有____；
3．输出电阻较小的电路有____。
选项：
A: 1.bc2.a3.bc
B: 1.abc2.ac3.bc
C: 1.ac2.a3.bc
D: 1.bc2.ab3.c
答案: 【 1.bc2.a3.bc】
2、单选题：
在图示放大电路中，当输入一正弦电压后，输出电压顶部出现削平失真，说明管子进入了____（A、夹断区， B、可变电阻区）；为了减小失真程度应增大____（A、 Rg1； B、 Rg2）。
选项：
A: AA
B: AB
C: BA
D: BB
答案: 【 AA】
3、单选题：
场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图所示，说明每种电路可用于哪些类型场效应管
A、结型， B、增强型MOS， C、耗尽型MOS
1．电路（a）可用于____；
2．电路（b）可用于____；
3．电路（c）可用于____；
4．电路（d）可用于____。
选项：
A: 1.BC2.AC3.B4.AB
B: 1.C2.AC3.BC4.ABC
C: 1.B2.AB3.ABC4.C
D: 1.A2.AC3.B4.BC
答案: 【 1.C2.AC3.BC4.ABC】
4、单选题：
已知图中a、b、c三个电路所用MOS管的参数相同，静态电流IDQ也相同。比较这三个电路的性能。
1．静态工作点稳定性最差的电路是____；
2．电压放大倍数相同的电路有____;
3．输出电阻相同的电路有____；
4．输入电阻最大的电路是____；输入电阻最小的电路是____；
5．输出电压动态范围最宽的电路是_____。
选项：
A: 1.a2.abc3.abc4.cb5.a
B: 1.b2.ab3.abc4.cb5.c
C: 1.c2.abc3.ab4.cb5.a
D: 1.a2.abc3.ac4.cb5.c
答案: 【 1.a2.abc3.abc4.cb5.a】
第4讲知识单元3 - 双极型晶体管及放大电路静态分析
双极型晶体管放大电路的静态分析测试
1、单选题：
在图示电路中 ，当输入电压为1kHz，5mV的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。为了消除失真，应__________。
选项：
A: 增大Rc
B: 增大Rb
C: 减小Rb
D: 换用
大的管子